Intel: «c 10 нм мы осрамились, но с 7 нм такого не дождётесь»

для раздела Блоги

Несмотря на то, что ситуация с внедрением 10-нм технологии у Intel складывается не лучшим образом, компания уверена в том, что со следующей технологией с 7-нм нормами и EUV-литографией никаких проблем не возникнет. Об этом сообщил президент производственного подразделения Intel, Мурти Рендучинтала, на прошедшей в Лондоне Nasdaq Investor Conference.

В выступлении подробно была затронута тема проблем перехода с 14-нм на 10-нм технологию. Руководитель высокого уровня подтвердил, что Intel переоценила свои силы при проектировании следующего техпроцесса и поставила себе слишком высокую планку. Тем не менее, Мурти Рендучинтала заверил, что несмотря на все трудности, через год мы всё-таки увидим интеловские 10-нм чипы для настольных систем, причём их мощность, производительность и плотность транзисторов будут именно теми, которые и были задуманы изначально.

Кроме того, выяснилась и ещё одна интересная деталь. Несмотря на то, что Intel серьёзно задержалась с внедрением 10-нм технологии, компания вовсе не намерена отодвигать планы по внедрению следующих поколений техпроцесса. Это означает, что производственный процесс с 7-нм нормами будет запущен согласно изначально определённому графику. По этому поводу Мурти Рендучинтала сказал следующее: «7 нм у нас занимается отдельная команда, и это отдельная задача. И мы очень довольны нашим прогрессом по 7 нм. Мы на самом деле очень довольны. Мы извлекли много уроков из нашего опыта с 10 нм, и выбрали другое направление оптимизации между плотностью транзисторов, мощностью, производительностью и сроками внедрения».

Чтобы не сесть в лужу при переходе к 7-нм нормам, Intel собирается не ставить такие агрессивные цели по масштабированию плотности размещения транзисторов. С 10-нм технологией компания запланировала увеличить плотность транзисторов в 2,7 раза, но при этом использовать старые подходы и частично старое литографическое оборудование. С 7 нм всё будет по-другому. Во-первых, при переходе к этим нормам Intel собирается начать применять фотолитографию в глубоком ультрафиолете (EUV), а во-вторых не ставить себе трудновыполнимых задач. В итоге, коэффициент масштабирования плотности транзисторов при переходе от 10 нм к 7 нм должен оказаться лишь двукратным.

По словам директора по разработкам, применение EUV-литографии должно дать очень хорошую отдачу и в конечном итоге позволит избавиться от двойного паттернирования и холодного паттернирования, которое применяется сейчас в 14-нм и 10-нм техпроцессах.





Будет уместным напомнить, что AMD собирается выпустить свои первые 7-нм продукты в начале следующего года, а чипы, построенные по техпроцессу 7+ нм с EUV-литографией должны появиться в арсенале красных в 2020 году. Сумеет ли Intel догнать AMD в 2020 году со своим 7-нм техпроцессом, пока сказать невозможно. Несмотря на то, что с ним у микропроцессорного гиганта «всё идёт по плану», никаких сроков реализации этого плана открыто не оглашалось.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 2.5 из 5
голосов: 11

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают