реклама
HBM3 — четвертое поколение технологии HBM с комбинацией нескольких вертикально соединенных микросхем DRAM. Это очень значимая технология, повышающая скорость обработки данных.
реклама
Предыдущие три поколения — это HBM, HBM2 и HBM2E, являющаяся обновлённой версией HBM2 с увеличенной ёмкостью и пропускной способностью.
Ожидается, что четвёртое поколение поможет укрепить лидерство компании на рынке. SK hynix также первой в отрасли начала массовое производство HBM2E.
HBM3 от SK hynix — это не только самая быстрая DRAM в мире. Она обладает самой большой емкостью и значительно повышенным уровнем качества.
Новое поколение может обрабатывать до 819 ГБ (гигабайт) в секунду, что на 78% больше скорости обработки данных по сравнению с HBM2E.
Он также исправляет (битовые) ошибки данных с помощью встроенного кода исправления ошибок, значительно повышая надежность продукта.
HBM3 от SK hynix будет поставляться с двумя типами емкости: 24 ГБ (самая большая в отрасли) и 16 ГБ. Для версии с емкостью 24 ГБ инженеры SK hynix отшлифовали высоту микросхемы DRAM примерно до 30 микрометров (мкм, 10-6 м), что эквивалентно трети толщины бумаги формата A4. При производстве вертикально накладывается 12 микросхем с использованием технологии сквозных кремниевых переходников (TSV) (технология соединения, связывающая верхний и нижний чипы с электродом, который вертикально проходит через тысячи мелких отверстий на чипах DRAM).
Ожидается, что HBM3 будет в основном использоваться высокопроизводительными центрами обработки данных, а также платформами машинного обучения, которые повышают уровень искусственного интеллекта и производительности суперкомпьютеров, используемых для проведения анализа изменения климата и разработки лекарств.