Казалось бы, только недавно мир заговорил о коммерческом использовании памяти HBM, а такие компании, как SK Hynix, уже работают над третьим поколением данной памяти, достигая на этом поприще значительных успехов. Так, согласно информации сайта techspot, SK Hynix разрабатывает самую быструю в мире DRAM с высокой пропускной способностью на основе HBM2E. Как заявляют представители компании, в настоящее время крайне важно удовлетворить растущие потребности полупроводниковой отрасли. В итоге, новая DRAM от компании SK Hynix на основе HBM2E будет быстрее, чем все существующие аналоги на рынке. По данным сайта techspot, SK Hynix планирует начать массовое производство подобной памяти в 2020 году. Как поясняют представители компании SK Hynix, новая память сможет похвастаться скоростью до 3,6 Гбит/с. 

Подобный интерес к памяти HBM вызван тем, что при переходе от памяти предыдущего поколения HBM2 к HBM2E наблюдается 50% скачок производительности, что будет востребовано на рынке высокопроизводительных графических процессоров, суперкомпьютеров, систем машинного обучения и систем искусственного интеллекта, требующих максимального уровня производительности памяти.  

Как по этому поводу заявил глава HBM Business Strategy компании SK Hynix Jun-Hyun Chun, начиная с 2013 года, его компания является лидером данного направления и не собирается отказываться от своих амбиций только из-за того, что другие компании также интересуется данной технологией.