В начале нынешнего десятилетия организация JEDEC представила архитектуру памяти MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) от компании Intel. Встроенный мультиплексор DIMM используется для управления данными между несколькими уровнями памяти. Это повышает пропускную способность и увеличивает эффективность передачи данных между памятью и процессором. Сочетание двухранговой памяти DDR5 с мультиплексорным буфером и управляющей логикой повышает эти и другие характеристики, включая уменьшенную задержку и повышенную производительность на единицу энергопотребления.

Изображение: wccftech.com

Модули MRDIMM первого поколения обладают скоростью 8800 МТ/с и ёмкостью до 256 ГБ, применяясь с процессорами Intel Xeon 6 (Granite Rapids). Второе поколение этой памяти будет обладать скоростью 12800 МТ/с, а ожидаемое в 2030 году третье поколение получит скорость до 17600 МТ/с. Это значение почти в три раза превышает возможности самых быстрых модулей DDR5 RDIMM.

Изображение: X

Фирма Bernstein Analysis утверждает, что память DDR5 MRDIMM предложит скорость передачи данных и пропускную способность уровня DDR6. Существующие серверы можно будет ускорить, не переходя на DDR6. Что касается появления модулей DDR6 MRDIMM, их ждут не раньше 2028 года.

Изображение: X

У процессоров Intel Diamond Rapids Xeon 7 ожидается применение стандарта DDR5 MRDIMM 2-го поколения, как и в AMD EPYC Venice на Zen 6. В своих будущих платформах два этих производителя также собираются пользоваться стандартом MRDIMM.