Южнокорейские СМИ сообщают, что местная компания SK hynix работает над новым типом памяти для ускорения локальных рабочих нагрузок. Память с высокой пропускной способностью объединяет компоненты мобильной DRAM и флеш-памяти NAND в портативных вычислительных устройствах.
Память HBS разработана для обеспечения более высокой производительности в ИИ-задачах на смартфонах, планшетах и других мобильных устройствах. Новые чипы могут содержать до 16 слоёв памяти DRAM и NAND, соединённых между собой благодаря технологии Vertical Wire Fan-Out (VFO).
SK hynix впервые реализовала DRAM-память на базе VFO в устройстве Apple Vision Pro. Компания представила VFO в 2023 году. Конструкция HBS сложнее, поскольку в неё вошли чипы NAND. Суть технологии состоит в том, что слои кристалла соединены вертикальными, а не изогнутыми проводниками. Это в 4,6 раза сокращает необходимое для передачи электронов между слоями пространство. В результате SK hynix обещает рост энергоэффективности на 4,9%, рассеивание тепла — на 1,4%, а корпус станет на 27% тоньше, чем у традиционных чипов.
В отличие от технологии HBF, которую SK hynix разрабатывает совместно с SanDisk, HBS не требует соединений Through-Silicon Via (TSV). Это должно привести к повышению процента выпуска годных изделий и снижению производственных затрат, став основой более широкого внедрения технологии.
Ожидается, что новая конструкция DRAM+NAND будет интегрирована прямо в процессоры устройств. Внедрение технологии запланировано на 2029–2031 годы. Пока же компания испытывает трудности с удовлетворением спроса на чипы памяти на 2026 год.
