Компания Samsung Electronics начала поставки своим партнёрам новой 12-слойной высокоскоростной памяти HBM4E, которая, по её данным, обеспечивает более чем на 20% лучшую производительность по сравнению с HBM4 предыдущего поколения. Новая разработка базируется на техпроцессе Samsung 1c DRAM шестого поколения 10-нм класса.
Источник изображения: Reuters
URL изображенияSamsung старается догонять рынок HBM-чипов, где она уступала SK Hynix и Micron, поскольку они востребованы для создания передовым ИИ-ускорителей. Начало поставок HBM4E уже сказалось на акциях компании – они выросли на 6,5%. Как отмечает Reuters, новая HBM-память от Samsung даёт компании возможность занять лидерство в этом сегменте.
К концу 2025 года основным производителем HBM-памяти считалась SK Hynix, которая занимала 57% мирового рынка. Samsung производила только 22%, в то время как Micron «наступала на пятки» с 21-процентной долей от мировых поставок. Однако начало поставок новой HBM4E может изменить положение дел в пользу Samsung.
