Обзор и тестирование SSD-накопителя SanDisk Plus 120 Гбайт (SDSSDA-120G-G26) (страница 2)
Программная часть
Тестируемая модель прекрасно распознается стандартными приложениями для диагностики состояния накопителей, вроде Crystal Disk Info.
24 параметра SMART – неплохой показатель для решения начального уровня Здесь можно найти счетчик, отражающий время работы накопителя в часах (09), количество включений (0C), объема записанных (F1) и прочитанных (F2) по интерфейсу SATA данных (учет в гигабайтах), фактический объем записи в массив NAND (E9), что позволяет определить величину коэффициента WA, максимальное количество сбойных блоков на кристалл NAND (A7) и общее количество оных (A9), максимальное по массиву NAND количество циклов перезаписи ячеек (A8) и еще ряд других.
Поддерживается SanDisk Plus и фирменным программным пакетом SanDisk SSD Dashboard.
реклама
реклама
Можно просмотреть общую информацию об устройстве, включить мониторинг нагрузки на накопитель (мне впервые удалось увидеть его работающим), включить и отключить подачу команды TRIM операционной системой (если поддерживается), провести обновление микропрограммы (напрямую с серверов SanDisk и из файла), полную очистку накопителя от данных, посмотреть состояние параметров SMART и запустить тесты самодиагностики. Есть возможность настроить автоматическую отправку письма по электронной почте в случае проблем с накопителем.
Кроме того, рекламируются антивирус TrendMicro, программа резервного копирования и переноса данных Apricorn и приложение Absolute LoJack, которое встраивается в систему и позволяет удаленно заблокировать доступ, а также произвести удаление данных с накопителя в случае кражи (при этом злоумышленник должен выйти в сеть с украденной системы, загрузившись именно с данного SSD).
Стабильность скоростных характеристик и температурный режим
С помощью CrystalDiskMark (64bit) 3.0.1 в режиме случайных данных производится замер производительности четыре раза:
- Изначальное состояние нового накопителя («нулевое» состояние);
- После проведения всего цикла тестов происходит заполнение диска пользовательскими данными из следующего раздела статьи (с файлами Word, фотоснимками, аудио- и видеозаписями), таким образом, чтобы суммарный объем записанных данных был не менее трехкратного общего объема накопителя;
- Тридцатиминутный простой, в течение которого не производится каких-либо операций с SSD – для работы фоновых функций накопителя по уборке «мусора»;
- Выполнение команды TRIM силами операционной системы.
Таким образом, мы можем узнать, насколько хорошо микропрограмма накопителя справляется с задачей поддержания уровня быстродействия на небольшом объеме одномоментно записываемых и прочитываемых данных – для условий эксплуатации в бытовых условиях этого достаточно.
Затем производится полная очистка накопителя путем подачи команды Secure Erase, после чего запускается тест Disk Benchmark из состава AIDA64 в режиме «Write» (размер блока установлен равным 1 Мбайт) – данный тест производит линейную запись всего объема носителя, попутно выводя информацию о процессе записи в виде удобного графика. Этот тест позволяет нам увидеть, насколько в целом накопитель стабилен, не возникает ли перегрева и какие, возможно, алгоритмы «ускоренной записи» реализованы в микропрограмме.
И в заключение (также после выполнения команды Secure Erase) производится тестирование с помощью Iometer.
- Имитируется работа накопителя в условиях нагрузки, близкой к серверной (непрерывная случайная запись блоками 4 Кбайт по всему объему с глубиной очереди запросов 32) при отсутствии TRIM. Именно так, к примеру, работают базы данных: создается один или энное число больших файлов, внутри которых выполняются операции чтения/записи, генерации команды TRIM при этом не происходит. Тест проводится непрерывно в течение двух часов, при этом ежесекундно снимаются показатели быстродействия. Итоги данного теста позволяют нам увидеть возможности подопытного как в «чистом», так и в «использованном» состояниях (достижение состояния «устоявшейся производительности»).
- По завершении этого теста проделаем еще один, целью которого будет выяснение того, насколько хорошо работают алгоритмы «сборки мусора» (Garbage Collection). На итоговом графике присутствуют скоростные показатели накопителя в четырех ситуациях: состояние «чистого» массива ячеек (после команды Secure Erase), после непрерывной нагрузки в течение двух часов в условиях отсутствия команды TRIM, после простоя 30 минут, которых должно хватить накопителю для отработки внутренних алгоритмов «сборки мусора», после выполнения команды TRIM на весь объем накопителя. Тест довольно специфический, и его результаты важны для тех, кто нацелен на эксплуатацию в условиях работы без TRIM (старые операционные системы, некоторые RAID-массивы, в качестве внешнего накопителя – через адаптер SATA-USB).
SanDisk Plus 120 Гбайт (SDSSDA-120G-G26)
Микропрограмма накопителя способна поддерживать быстродействие устройства только на линейной нагрузке. Обусловлено это в первую очередь особенностями работы SLC-режима, точнее – необходимостью наличия пустых страниц памяти для его работы.
При интенсивных нагрузках микропрограмма SSD просто не успевает подготовить их в достаточном количестве – слишком медленный массив памяти сам по себе. В случае с Crystal Disk Mark весь объем подготовленных страниц тратится на первый тест, а интервал между тестами слишком мал, как и количество свободного места.
реклама
Классическая картина для твердотельного накопителя с SLC-режимом: высокая скорость записи на протяжении небольшого отрезка времени, затем резкий провал до меньших значений. Но отрадно то, что нет никаких признаков срабатывания защиты от перегрева, а показания встроенного термодатчика не превышали 45°C.
Реальное копирование файлов показывает очень интересную картину: скорость записи колеблется в пределах 60-100 Мбайт/с.
Подобное поведение может означать одно: инженерами в данную версию микропрограммы контроллера заложен такой алгоритм работы, при котором прошивка пытается расчищать страницы памяти не после, а во время выполнения операций. Это косвенно подтвердилось и замерами энергопотребления – у накопителя не наблюдалось какой-либо фоновой активности после снятия нагрузки.
Скорость записи невелика, но это еще не самое худшее, достаточно вспомнить, например, AMD Radeon R3, который отличается от героя обзора использованием флеш-памяти SK Hynix.
А вот откуда предположение про урезание объема буферной памяти у контроллера – быстродействие на операциях случайной мелкоблочной записи у SanDisk Plus версии 2016 года низкое. В SLC-режиме у Crucial BX200 и ADATA Premier SP550 (где буферная память есть) быстродействие составляет примерно 20-30 тысяч IOPS, а вне SLC-режима – 12-15 тысяч IOPS. Здесь же – 10 тысяч IOPS и 5-6 тысяч IOPS соответственно.
Тут же мы можем видеть еще один момент, о нем поговорим парой абзацев ниже.
Накопитель не приспособлен для работы в системах, где до него не доходит команда TRIM: 160 Мбайт – это несерьезно, да и (судя по графику) больше похоже на попытки микропрограммы выйти в SLC-режим. Но в оригинальной версии SanDisk Plus не было и этого.
А теперь поговорим о том, о чем было сказано выше. 25 Мбайт/с на многопоточной мелкоблочной записи сбивают с толку. Мы только что протестировали накопитель в Crystal Disk Mark и наблюдали более 200 Мбайт/с. А тут – нет. Ошибка? Отнюдь. Стоило изменить настройки Iometer так, чтобы они повторяли оные у CDM, как скорости сразу начинали совпадать.
Именно так, якобы высокие показатели SanDisk Plus актуальны только в одной ситуации – когда все обращения на запись происходят лишь в небольшой области. Стоит распространить область тестирования на весь объем массива и быстродействие падает. И лишь учитывая этот момент, стоит анализировать последующий раздел.
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.


Комментарии Правила