Обзор и тестирование комплекта оперативной памяти DDR4-3200 G.Skill TridentZ (F4-3200C16D-16GTZB) объемом 2 х 8 Гбайт (страница 3)

Тестовый стенд

Используемый тестовый стенд собирался из следующих комплектующих:

• Материнская плата: ASRock Z170 Extreme6 (BIOS L1.82, экземпляр из этого обзора);
• Процессор: Intel Core i5-6600K 3500 МГц;
• Система охлаждения: Thermalright Silver Arrow SB-E с одним вентилятором Thermalright TY-143;
• Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
• Оперативная память: DDR4-3200 G.Skill TridentZ 2 х 8 Гбайт (16-18-18-38, 1.35 В);
• Видеокарта: MSI GeForce GTX 970 Gaming 4G (обзор, экземпляр не из этого обзора);
• Блок питания: Corsair HX750W 750 Ватт (отдельно не тестировался; незначительно доработан по элементной базе);
• Системный накопитель: Samsung SM951 256 Гбайт (Samsung UBX + 16 нм MLC ToggleNAND Samsung, BXW2500Q; из этого обзора);
• Корпус: открытый стенд.

Методика тестирования

Для проведения тестов используется материнская плата ASRock Z170 Extreme6, которую мы совсем недавно рассматривали.

К сожалению, плата не лишена недостатков: тайминги tRCD и tRP можно устанавливать только одинаковыми – в BIOS управление ими осуществляется посредством одного общего параметра. Тайминг tRAS и вовсе ограничен минимальным значением 28 (к примеру, некоторые системные платы допускают снижение до 10-14).

Это заметно ограничивает широту экспериментов с разгоном, ведь для некоторых типов микросхем оптимальными являются формулы неравных таймингов вроде «х + (х+1) + (х+2)». Верхняя планка напряжения оперативной памяти в рамках тестов установлена нами равной 1.40 В в связи с неясностью относительно безопасности высоких значений для встроенного контроллера памяти процессора.

Тестирование стабильности проводится в среде операционной системы Windows 10 x64 Домашняя с помощью Prime95 версии 28.7 в редакции 64-bit в течение 20 минут. Запуск осуществляется в режиме «Custom» с ручным указанием занимаемого объема памяти. Операционная система Windows 10 на тестовом стенде была обновлена: текущей сборкой на момент написания данного обзора была 10586.122.

Подобные настройки подбираются для того, чтобы проверка стабильности работы была наиболее полной – по всему объему модуля памяти. И это приводит к постоянным сообщениям операционной системы о недостатке свободного пространства. Файл подкачки отключен.

Сами модули памяти устанавливались в систему поодиночке: для минимизации факторов, ограничивающих разгон (оптимизация микрокода BIOS материнской платы, индивидуальные ограничения контроллера памяти конкретного экземпляра ЦП). Частоты процессорных ядер и CPU Ring фиксировались на штатных величинах. Напряжение CPU VCCSA устанавливалось равным 1.2 В, напряжение CPU VCCIO устанавливалось равным 1.1 В.

Из-за использования оверклокерского комплекта памяти повышенной частоты в тестах на частотах выше 3333 МГц напряжение CPU VCCIO поднималось до 1.2 В. По всей видимости, здесь накладывалось ограничение используемого экземпляра i5-6600K, его встроенного контроллера памяти. Что интересно, повышение CPU VCCIO до 1.25 В не приносило дополнительного прироста частотного потенциала. Напомним, что напряжение CPU VCCIO, равное 1.2 В и выше, при отсутствии должного охлаждения CPU, может привести к необратимым повреждениям контроллера памяти процессора.

Тестирование разгонного потенциала

• Модуль с серийным номером 500438875.

• Модуль с серийным номером 500438876.

Разгон модулей оказался настолько интересным и неожиданным, что я не удержался от более подробных, нежели обычно, тестов: их вдвое больше.

Картина выстроилась весьма любопытная. Во-первых, микросхемы Samsung K4A4G085WE-BCPB очень «любят» повышение таймингов tRCD и tRP (или одного из них) на две единицы. Во-вторых, разгонный потенциал просто отличный: 3466 МГц и 3488 МГц – результат весьма незаурядный. Из примерно двух десятков побывавших у меня образцов, учитывая не только «статейные», это самые лучшие показатели, до этого лучшим был результат в 3280 МГц у одного из четырех модулей Kingston HyperX Fury DDR4-2400.

А теперь о печальном: перед нами два модуля с идущими подряд серийными номерами, но разгонный потенциал на невысоких таймингах и напряжении отличается весьма заметно – разница доходит до 200 МГц. К счастью, чем выше мы забираемся в разгоне, тем меньше становится отличий, но и тут не обошлось без неприятного сюрприза: второй модуль не смог дойти до 3488 МГц. Зато оба они не только по отдельности, но и вместе работали на частоте 3466 МГц, прекрасно проходя тесты.

Еще раз отметим: напряжение CPU VCCIO пришлось поднять до 1.2 В.

Заключение

Если вкратце, последние два месяца мне было совсем не до написания обзоров и данный материал является попыткой вернуться к своему излюбленному занятию – экспериментам с разгоном. Берясь за него, я в голове держал мысли о том, что это будет очередной «блин комом»: имиджевый комплект памяти, из которого производителем «выжато» все, что можно – на такое шансов в современном мире, увы, куда больше.

Однако комплект оперативной памяти G.Skill TridentZ DDR4-3200 быстро погасил подобные настроения: его разгонный потенциал оказался на высоте. Несмотря на то, что частота уже изначально не маленькая, мне удалось добиться еще лучших показателей, причем не только по частоте, но и по таймингам.

Омрачить радость может только пара факторов:

• Высота радиаторов, которая приводит к конфликтам с массивными системами охлаждения процессора;
• Рассматриваемый комплект стоит примерно в полтора-два раза дороже, чем комплекты аналогичного объема DDR4-2400.

Выражаем благодарность:

• Компании Регард за предоставленный для проведения тестов процессор Intel Core i5-6600K;
• Компании ASRock за предоставленную на тестирование материнскую плату ASRock Z170 Extreme6;
• Компании G.Skill за предоставленный на тестирование комплект оперативной памяти G.Skill TridentZ DDR4-3200.