Все ли DDR3-1600 одинаково полезны? Сравнение разночастотных комплектов DDR3 (страница 2)

Тестовая конфигурация

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

  • Процессор - Intel Core i7-860 (Lynnfield);
  • Система охлаждения – Noctua NH-D14;
  • Термопаста - Arctic Silver 5;
  • Материнская плата - MSI P55-GD80, Intel P55, BIOS 1.5;
  • Память №1 - Samsung M378B5673FH0-CH9, 2x2048 Мб DDR3-1333 МГц;
  • Память №2 - Kingston KVR1333D3N9/2G, 2x2048 Мб DDR3-1333 МГц;
  • Память №3 – Geil Black Dragon GB34GB1600C8DC, 2x2048 Мб DDR3-1600 МГц;
  • Дополнительный вентилятор - Scythe Kama-Flex 1600 RPM;
  • Видеокарта - Sapphire Radeon HD3450 512 Мб GDDR2 PCI-E;
  • Жёсткий диск - Seagate ST3500418AS 7200.12, 500 Гб;
  • Блок питания - Cooler Master RS-A00-ESBA 1000 Вт.

Методика тестирования

Для проверки на разгон была выбрана платформа на последнем наборе логики Intel - P55. Такой выбор обусловлен более низкими частотами Uncore блока по сравнению с X58, что в свою очередь позволяет поднять планку разгона оперативной памяти до больших высот.





Платформа AMD не использовалась так же из-за соображений о максимальном разгоне. В любом случае - мы проверяем оперативную память, и чтобы выжать из неё все "соки" платформа на LGA1156 подходит, пока что, наилучшим образом.

Тестирование стабильности происходило с помощью всем известной программы Prime95. Она довольно сильно нагружает систему и иногда при частотах на которых наблюдается нестабильность возможна работа без ошибок во многих других приложениях (игры, бенчмарки и т.д). Работа конечно возможна, но как долго? Профессиональные бенчеры я думаю могут прибавить около 30-50 МГц к тем результатам которые будут отражены в таблице. При этом прохождение многих тестов должно проходить без сбоев и их последствий.

Игнорирование DOS-утилиты MemTest86+ связано с тем, что я стараюсь находить те частоты, при которых возможна стабильная работы системы 24 часа в сутки 7 дней в неделю, а не простое прохождение определённого бенчмарка. При успешном прохождении Prime95 в режиме Blend в течение 30 минут, выставленная частота определялась как стабильная и заносилась в таблицу.

Для раскрытия потенциала памяти до частот 2200 МГц применялось напряжение VTT от 1.32 В до 1.37 (в зависимости от напряжения и частоты памяти). После преодоления данного частотного барьера, для дальнейшего увеличения частоты памяти значение VTT Voltage принимало значение – 1.45 В.

Для частот памяти ниже 2000 МГц тайминг B2B-CAS Delay устанавливался в положение 0, а выше этой частоты - 6. Значение Command Rate всегда принимало положение - 1T. В случае с сегодняшними комплектами которые "несут на себе" по большей части неизвестные микросхемы, напряжение DRAM составляло от безопасных 1.45 В до 1.85 В с шагом 0.1 В.





На пониженном (1.45-1.55 В) напряжении никакого дополнительного охлаждения не использовалось. Начиная с 1.65 В, в целях безопасности (а так же невозможности перегрева), напротив модулей памяти устанавливался 120-мм вентилятор Scythe Kama-Flex с 1600 об\мин.

Напряжение в BIOS, В
Мультиметр, В
1,455
1,444
1,560
1,551
1,650
1,643
1,755
1,751
1,845
1,842

Реальное напряжение, подаваемое на память, измерялось с помощью мультиметра Mastech DT9208A. Среднее отклонение от значений заданных в BIOS составило 0,0068 В.

В сегодняшнем тестирование принимал участие процессор Intel Core i7 860. При понижении множителя CPU до 17х, он обладает 100%-ой стабильность в тесте LinX 0.6.4 при 205 МГц базовой частоты (BCLK). Вкупе с максимальным множителем DRAM - 6х (12x), это позволяет покорять частоты памяти вплоть до 2460 МГц. Найденные частоты BCLK не являются максимальными, и в случае если в мои руки попадёт оперативная память, которая будет упираться в названную выше границу, эксперименты будут продолжены дальше.

В ходе тестирования множитель DRAM лежал в пределах 4-6x, конкретные значения выбирались в зависимости от частоты памяти. В всех случаях модули памяти были установлены в двухканальный режим, соответственно использовалось 2 модуля.





Результаты разгона

Диапазон напряжения для модулей Samsung был определён исходя из результатов полученных в ходе тестирования модулей Transcend на чипах SEC HCH9, и составил 1.45-1.85 В. Этот же диапазон был определён и для двух остальных комплектов, из расчёта того, что 1.45 В – это минимальный уровень напряжения для нормального функционирования модулей, а 1.85 В хоть и много, но проверить надо. В итоге, как оказалось, всё что выше 1.65 В для модулей Kingston и Geil – смерти подобно. Но для начала несколько слов по Samsung’ам:

586x592  25 KB
  • Модули способны работать во всём диапазоне используемых напряжений;
  • Практическое отсутствие роста частот при поднятии напряжения;
  • При тестировании памяти с помощью Prime95 микросхемы памяти оставались еле тёплыми во всём диапазоне используемых напряжений (при условии доп.обдува);
  • Крайне низкие результаты при использовании таймингов вида: 6-6-6-18 и 7-7-7-20;
  • Каждая ступень ослабление задержек добавляет в среднем по 300 МГц в независимости от используемого напряжения;
  • В целом необходимость использования напряжения выше 1.65 В отсутствует. Дополнительные 10-20 МГц не стоят вероятной будущей деградации от использования высокого напряжения;
  • Общий разгонный потенциал значительно ниже, чем у более старых модулей на тех же микросхемах (исходя из маркировки). Вероятно смена “упаковки” либо техпроцесса “чипов” не пошла им на пользу.

Как можно заметить, планки Kingston и Geil обладают приблизительно одинаковым разгонным потенциалом и поведением на поднятие напряжения DRAM. В связи с этим позволю себе высказать общее мнение по двум комплектам:

586x592  35 KB
586x592  35 KB
  • Первое, что бросается в глаза – потеря разгонного потенциала после перехода границы 1.65 В. Модули перестают стабильно работать даже на тех частотах, на которых наблюдалась полная стабильность при использовании более низкого напряжения DRAM. Соответственно “пытать” планки на предмет определения падения частоты – занятие крайне рискованное и совершенно ненужное;
  • Каждая ступень ослабление задержек добавляет в среднем по 200 МГц в независимости от используемого напряжения;
  • Отсутствие либо разница в +-10 МГц при напряжении 1.55 и 1.65 В.
  • Низкие результаты при использовании агрессивных таймингах вида: 6-6-6-18;
  • В некоторых случаях наблюдается небольшое падение частоты даже при напряжение 1.65 В. Вкупе с пунктом выше это позволяет предположить, что модулям будет более чем достаточно 1.56 В DRAM;
  • Температурный режим обоих комплектов не вызывает опасений. При прогреве модулей с помощью Prime95 температура микросхем памяти субъективно была несколько выше чем “чипов” HCH9 модулей Samsung;
  • Самый значимый рост частот при поднятии напряжения происходит при высоких задержках: 8-8-8-24 и 9-9-9-27.





Судя по полученным результатам можно предположить, что модули Geil используют те же микросхемы, что и Kingston, но только перемаркированные. Общее поведение планок памяти схоже, а некоторую разницу частот можно “свалить” на совершенно непохожие печатные платы. Если же PCB действительно 8-ми слойная, то компании Geil стоит призадуматься стоит ли дальше использовать такие “чудо-чипы”.

Заключение

Все протестированные комплекты оставили довольно странные впечатления. Модули Samsung при стоимости равной планкам от Kingston оказались самыми слабым звеном из всех протестированных комплектов. Они практически не отзывались увеличением частоты при повышении напряжения, да и в целом показали очень низкие результаты.

“Представители” от компании Kingston продемонстрировали результаты в среднем на 100 МГц выше, чем их соперники. Более того для таких результатов им потребовалось значительно меньшее напряжение. Ещё одним преимуществом этих планок можно считать толковую упаковку, позволяющую защитить модули при транспортировке, а также оценить степень их “новизны” (БУ or not).

Самые дорогие Geil Black Dragon с заявленной частотой в 1600 МГц и таймингами 8-8-8-28 “ушли” совсем недалеко от простых Kingston’ов. По-моему мнению, то небольшое преимущество, которое предоставляют пользователю “чёрные драконы”, не стоит 30% переплаты. Впрочем, если вас интересуют четыре красных светодиода, то может быть, это ваш выбор.







В целом же, самой лучшей альтернативой всех трёх комплектов станут уже протестированные модули Crucial CT25664BA1339 на микросхемах Micron D9JNM из прошлой статьи. При той же стоимости за одну планку, как и у первых двух представителей сегодняшнего тестирования, они обладают куда большим разгонным потенциалом. Способности более дорогих Geil Black Dragon на их фоне буквально меркнут, никакого повода для их покупки у настоящего оверклокера не остаётся. Впрочем, выбор как всегда за вами…

Выражаем благодарность:

Компании Xpert за предоставленные комплектующие для тестового стенда и модуля для тестирования.

Грыжин Александр ака =DEAD=
Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Страницы материала
Страница 2 из 2
Оценитe материал
рейтинг: 4.3 из 5
голосов: 73

Теги

Комментарии 68 Правила



Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают