Южнокорейский производитель SK Hynix анонсировал старт серийного производства первых на рынке кристаллов 128-слойной памяти 4D NAND. Плотность – 1 Тбит. Отметим, что это самый сложный кристалл в своем роде. Количество ячеек составляет 360 млрд штук.

Представители компании из Южной Кореи напоминают, что ранее уже велось производство флэш-памяти плотностью 1 Тбит, но тогда речь шла о QLC NAND, а не о TCL 4D NAND. Основным достоинством нового типа памяти стала увеличенная плотность компоновки, которая обеспечивается через вертикальную интеграцию периферийных цепей и ячеек памяти.

SK Hynix отмечает, что за счет оптимизации процессов при переходе с 96-слойной памяти на производство 128-слойной инвестиционные издержки уменьшились на 60%. Информационная емкость на пластину выросла на 40%.

Южнокорейская компания намерена начать поставки памяти 4D NAND во второй половине текущего года. Ожидается, что благодаря низкому уровню энергопотребления и высокой скорости память можно будет применять и в мобильных девайсах, и в твердотельных накопителях корпоративного сегмента.

В середине следующего года южнокорейский производитель намеревается представить модуль UFS 3.1 вместимостью 1 Тб с прицелом на смартфоны флагманского уровня. Также в течение первых шести месяцев 2020 года в планах SK Hynix запустить серийное производство твердотельных накопителей емкостью 2 Тб с ПО и контролером собственного производства. В будущем их объем может вырасти до 32 Тб. Такие SSD-накопители будут ориентированы на облачные дата-центры.

В завершение добавим, что производитель из Южной Кореи ведет работу над созданием 176-слойной памяти NAND нового поколения.