Компания Samsung Electronics в рамках конференции Samsung Tech Day 2022 рассказала о своих планах в области памяти. На данный момент продолжает разработка DRAM 5-го поколения 10-нм класса Samsung 1b, начать массовое производство компания планирует в следующем году. В дальнейшем стоит непростая задача по дальнейшему масштабированию DRAM за пределы 10-нанометрового диапазона, но компании готова решить её, применяя новые технологии, в том числе, применение материалов с высокой диэлектрической постоянной.
Чего ожидать потребителям в обозримом будущем, — ответ на этот вопрос тоже есть. В списке будущих продуктов компания перечисляет 32-гигабитную DDR5 — плотность в два раза выше, чем у современных 16-гигабитных модулей. Кроме того, ожидается появление LPDDR5X памяти со скоростью 8,5 Гбит/с и GDDR7 памяти со скоростью 36 Гбит/с. В частности, новая GDDR7 будет применяться в игровом сегменте — для новых видеокарт.
Что касается флэш-памяти, Samsung напоминает, что в восьмом поколении технологии стекирования V-NAND плотность увеличилась на 42%, по данным компании, 512-гигабитная V-NAND с ячейками TLC обладает наибольшей плотностью в отрасли. Терабитная TLC V-NAND будет доступна клиентам к концу этого года, массовое производство нового, 9-го поколения V-NAND запланировано на 2024 год, а к 2030 году компания планирует создать 1000-слойный чип V-NAND. Также Samsung занимается развитием памяти типа QLC.
- Источник:
- Samsung Electronics
- Wccftech
