В настоящее время Samsung готовится к началу массового производства своей будущей памяти V-NAND 8-го поколения, которая, как ожидается, будет использоваться в будущих твердотельных накопителях, в том числе с поддержкой PCIe 5.0. Новые усовершенствования флэш-памяти NAND могут привести к значительному увеличению скорости хранения и передачи данных для пользователей.

 Компания Samsung недавно вступила в фазу подготовки к массовому производству своих модулей памяти V-NAND 8-го поколения. Ожидается, что эти модули будут иметь 236 слоев, что позволит Samsung втиснуть больше данных в и без того крошечные модули V-NAND.

 Модули Samsung V-NAND 7-го поколения, выпущенные в прошлом году, имели 176 слоев и поддерживали скорости до 2 ГТ/с. Это, безусловно, важная новость для владельцев настольных компьютеров и ноутбуков, но также имеет большое значение для смартфонов, поскольку эти устройства начинают поддерживать протоколы UFS 3.1, а в последнее время и UFS 4.0, что обеспечивает еще более высокую скорость флэш-памяти.

 Создание модулей 3D-NAND с таким количеством слоев - непростая задача. Хотя Samsung опередила конкурентов с выпуском V-NAND первого поколения в 2013 году, компания стала осторожнее, когда речь идет о производстве модулей. Из-за этого Micron и SK Hynix обогнали Samsung при достижении отметки в 200 слоев и выпустили свои 232-слойные и 238-слойные модули соответственно. Тем не менее в прошлом году Samsung выпустила образцы памяти V-NAND с более чем 200 слоями.

 Новое поколение V-NAND должно привести к заметному увеличению производительности и емкости. Хотя пока нет конкретных цифр для модулей Samsung 8-го поколения, один из конкурентов - Micron, предоставил некоторые данные о своих модулях с более чем 200 слоями.

 Micron утверждает, что её 232-слойная память NAND может поддерживать до 2 ТБ на модуль, а также скорость чтения до 11,68 ГБ/с и записи до 10 ГБ/с, и все это на одном чипе размером меньше почтовой марки. Также внесены некоторые улучшения в общую задержку чтения, что должно улучшить скорость передачи данных для пользователей.

 Все это происходит практически одновременно с выпуском процессоров Ryzen 7000 и Intel Raptor Lake, поскольку они смогут поддерживать скорости передачи данных до 10 ГБ/с. Через несколько месяцев пользователи смогут приобрести новый твердотельный накопитель Samsung с интерфейсом PCIe 5.0 с новым процессором и материнской платой, что непременно будет встречено сообществом с большим энтузиазмом.