SK Hynix, южнокорейская компания, готовится превзойти Samsung на рынке флэш-памяти NAND с помощью новой технологии «укладки ячеек». Компания анонсировала успешную разработку первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND.

Новейшие чипы NAND от SK Hynix обещают улучшить производительность благодаря дополнительным слоям ячеек. Они предлагают на 12% более высокую скорость передачи данных, на 13% более высокую производительность чтения и на более чем 10% более энергоэффективную работу.

SK Hynix также добилась успеха на рынке HBM (High Bandwidth Memory) и обогнала Samsung. Несмотря на то, что компания относительно небольшая, она привлекла внимание крупных компаний искусственного интеллекта, таких как NVIDIA, и получила заказы от них.