Закон Мура продолжает работать и компания Samsung напомнила об этом в очередной раз. Чем более передовой техпроцесс используется при производстве чипов, тем больше в нём умещается транзисторов, выше скорость и энергоэффективность.
В 2016 году Samsung начала поставки систем на чипе на техпроцессе 10 нм. В 2018 году она же запустила промышленное производство чипов 7 нм. К 2020 году стартовало производство на техпроцессе 5 нм, а теперь Samsung опередила конкурентов и начала поставки чипов 3 нм GAA (транзисторы с универсальным затвором).
Благодаря GAA даётся больший контроль над током и энергоэффективность растёт. TSMC продолжает применять конструкцию транзисторов FinFET предыдущего поколения в своих чипах 3 нм, поставки которых планирует запустить во втором полугодии. Ведущий производитель перейдёт на GAA в техпроцессе 2 нм, запланированном на 2026 год.
Samsung по случаю своего успеха провела церемонию в кампусе Хвасон в Кёнги-до, где присутствовали несколько руководителей компании и корейские политики. Первая партия чипов 3 нм предназначается не для смартфонов, а для майнинга криптовалют. Новые устройства станут потреблять меньше энергии.
Дальше техпроцесс 3 нм GAA будет применяться для производства чипов для смартфонов, в том числе Samsung Exynos 2300, а может и в Snapdragon 8 Gen 2. Энергопотребление уменьшится на 45% и производительность вырастет на 23% по сравнению с техпроцессом 5 нм. Второе поколение 3 нм GAA может снизит энергопотребление на 50% и увеличить производительность на 30%. Это означается более быстрые смартфоны с большей продолжительностью работы, пишет Phonearena.
