Команда исследователей из Южнокорейского института фундаментальных наук (IBS) разработала революционный метод выращивания одномерных металлических материалов шириной менее 1 нанометра.
Это открытие имеет огромное значение для производства полупроводников, поскольку оно позволяет создавать необычайно маленькие транзисторы, которые могут управлять потоком электронов в пределах нескольких нанометров.
До сих пор создание таких крошечных транзисторов было практически невозможно из-за ограничений существующих производственных процессов. Однако новая методика IBS преодолевает эти ограничения, используя границы зеркального двойника (MTB) дисульфида молибдена в качестве электродов затвора.
В результате исследователи смогли создать транзистор с шириной канала всего 3,9 нанометра, что значительно превосходит прогнозируемые отраслевые показатели.
Кроме того, транзистор на основе 1D MTB имеет ряд преимуществ в производительности схемы. Он минимизирует паразитную емкость, что является проблемой для современных технологий транзисторов, таких как FinFET и GAA.
Это прорывное достижение открывает новые возможности для развития нанотехнологий и может привести к созданию более мощных и энергоэффективных электронных устройств.
