Samsung постепенно движется к своей цели по созданию 1000-слойных модулей флэш-памяти NAND. Однако, по мере усложнения производства, достичь этого с помощью одного чипа становится очень тяжело. Вместо этого компания обращается к передовым решениям в области упаковки, позволяющим объединить два 450-слойных модуля V-NAND в один 900-слойный чип V-NAND.
По данным ET News Samsung использует технологию Cell Multi-Bonding (CMB), вариант многослойной сборки пластин, достигаемый за счет гибридного соединения. Этот процесс формирует прочное соединение между двумя кремниевыми чипами с помощью встроенных металлических контактов, которые сплавляются вместе. Несколько кристаллов, или, в случае Samsung, несколько целых кремниевых пластин, могут быть соединены путем объединения двух задних концов чипов. Собственный технологический процесс Samsung, называемый CMB, открывает путь к созданию 1000-слойных V-NAND чипов к 2030 году.
Источник: TechPowerUp
В начале прошлого года Samsung представила технологию V-NAND 10-го поколения, позволяющую размещать более 400 слоев на одном модуле. Компания также впервые внедрила гибридное соединение, что свидетельствует о совершенствовании технологии. Интересно, что соединение пластин на уже толстых 450-слойных конструкциях представляет собой сложную задачу из-за деформации пластин. К счастью, Samsung разработала микроскопические зажимы для решения этой проблемы, а также новые методы соединения для исправления проблем с совмещением и ошибок выравнивания при соединении. Внутри самой NAND-памяти Samsung создала новые структуры для управления энергопотреблением и поддержания разумных размеров отдельных чипов.
Пока неясно, когда Samsung планирует сделать эту 900-слойную V-NAND доступной во всем мире, поскольку до начала крупномасштабного производства еще несколько кварталов. Текущий план предусматривает запуск серийного производства V-NAND 10-го поколения, имеющего более 400 слоев на каждом чипе, а затем внедрение 900-слойной конструкции. В настоящее время рекорд по количеству слоев в серийном производстве принадлежит SK hynix с ее 321-слойной 4D NAND-памятью, но Samsung стремится вскоре стать лидером.
