Разработчики памяти ищут способы снизить энергопотребление и увеличить пропускную способность систем для ИИ. Новый проект из Японии получил государственную поддержку. 

Изображение - ChatGPT

Компания SAIMEMORY, созданная SoftBank, сообщила о включении проекта ZAM в программу финансирования NEDO. ZAM расшифровывается как Z-Angle Memory. Это разновидность DRAM, но с другой архитектурой. Вместо традиционного многослойного соединения инженеры предлагают вертикальное расположение и бесконтактную связь между слоями. Такой подход улучшает тепловые характеристики и снижает физические ограничения. Фактически, речь идет о разработке памяти нового типа, рассчитанной на задачи искусственного интеллекта. В проекте участвует Intel, а RIKEN отвечает за оценку и интеграцию решений.

ZAM рассматривают как альтернативу HBM, которая сегодня широко применяется в вычислениях. При этом новая архитектура меняет подход к размещению элементов памяти и использует иной способ соединения слоев. По заявлению разработчиков, это позволяет увеличить плотность и пропускную способность, а также снизить энергопотребление примерно на 40 процентов.

Проект пока находится на стадии прототипа. Программа рассчитана примерно на три с половиной года, а выпуск рабочих образцов запланирован до 2027 финансового года. Массовое производство разработчики ориентируют на 2029 год, если технология подтвердит заявленные характеристики.