Тест двухканального комплекта памяти G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK объемом 2x1Гб

В самом начале 2007 года тайваньская компания G.Skill, широко известная в кругах компьютерных энтузиастов, выпустила несколько новых двухканальных комплектов оперативной памяти стандарта DDR2. С одним из них – G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK – мы и познакомим вас в небольшой сегодняшней статье.

Память поставляется в небольшой картонной коробочке с изображением на лицевой стороне болида F1 команды Рено прошлогодней раскраски:

Помимо заявления о "лучшей памяти в мире" на двух языках и логотипа компании, больше там ничего нет. На оборотной стороне, напротив, вполне есть с чем ознакомиться перед вскрытием коробки:

Особо отмечу информацию на отдельном стикере о пожизненной гарантии на память и наклейки с указанием стандарта, её объема, а также основных таймингов работы с напряжением.

Коробка раскладывается, и сквозь небольшое окошко можно увидеть оба модуля памяти G.Skill:

На дне упаковки мне удалось обнаружить пару наклеек с логотипом компании и небольшой информационный листок с указанием реквизитов производителя и сервисных центров поддержки:





Память жестко зафиксирована в прозрачном пластиковом корсете, тем самым вероятность её повреждения сведена к минимуму. Модули закрыты алюминиевыми теплораспределителями, покрытыми серебристой краской с наклеенным логотипом компании в самом центре:

Теплораспределители приклеены к чипам термопрокладками, а фиксирующие их сверху зажимы свободно болтаются, держась только лишь на точечных фиксаторах. Память выполнена на PCB шестислойного дизайна для снижения наводок и обеспечения стабильной работы при высоких частотах и низкой латентности.

На каждом из модулей наклеен небольшой гарантийный стикер:

По информации на нём, можно ещё раз убедиться, что G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK способна функционировать на частоте в 800 МГц с таймингами 4-4-3-5 при напряжении в 2.0-2.1 В. Это же подтверждается и данными, прошитыми в SPD модулей:

Основной блок SPD достаточно тривиален для памяти DDR2 стандарта PC-6400, а вот в разделе "Enhanced Perfomance Profile" для эффективной частоты в 800 МГц заявлены тайминги 4-4-2-5, что не соответствует указанным таймингам на стикерах и в спецификации данной памяти. Скорее всего, это ошибка, так как в таком сочетании таймингов мне не удалось стартовать даже на номинальной частоте работы в 800 МГц.

Тестирование памяти от G.Skill было проведено в закрытом корпусе системного блока следующей конфигурации:

  • Материнская плата: ASUSTek P5B Deluxe/WiFi-AP (Intel P965), LGA 775, BIOS 1004;
  • Процессор: Intel Core 2 Duo E6400 2133 МГц, FSB 266 МГц x 4, L2 2 x 1024 Кб, SL9S9 Malay, (Conroe, B2);
  • Система охлаждения CPU: Cooler Master GeminII (2 x 120 мм., ~1200 об/мин);
  • Видеокарта: Sysconn GeForce 7600 GT 256 Мб / 128 bit, @670/1584 МГц (дельта -90 МГц);
  • Дисковая подсистема: SATA-II 320 Gb, Hitachi (HDT725032VLA360), 7200 об/мин, 16 Mb, NCQ;
  • Корпус: ATX ASUS ASCOT 6AR2-B Black&Silver (на вдув, выдув и на боковой стенке корпуса установлены 120-мм корпусные вентиляторы Cooler Master, ~1200 об/мин, ~21 дБА);
  • Блок питания: MGE Magnum 500 (500 W) + 80-мм вентилятор GlacialTech SilentBlade (~1700 об/мин, 19 дБА).





Модули тестировались только попарно, установленные в первый и третий слоты платы. Тесты проводились в операционной системе Windows XP Professional Edition SP2. Для проверки стабильности функционирования памяти при разгоне последовательно применялись следующие программы: тест памяти из PCMark 2005; "Torture Test" из Prime95 версии 25.2 в режиме часового тестирования; 4 теста памяти из S&M версии 1.9.0а в режиме "норма".

Оверклокерский потенциал памяти от G.Skill изучался при двух сочетаниях основных таймингов: 4-4-4-10 и 5-5-5-15. Прочие стартовые задержки, с которых начиналось тестирование, были выставлены вручную в BIOS материнской платы в такие значения:

  • DRAM Write Recovery Time = 6
  • DRAM TRFC = 42
  • DRAM TRRD = 15
  • Rank Write to Read Delay = 25
  • Read to Precharge Delay = 15
  • Write to Precharge Delay = 25

Присутствующий в настройках BIOS параметр "Static Read Control" был зафиксирован в положении "Disable". Память тестировалась как при номинальном напряжении в 2.1 В, так и при его увеличении в диапазоне до 2.4 В.

Результаты тестирования памяти G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK представлены на следующей диаграмме:

С номинальной частоты в 800 МГц на таймингах в 4-4-4-10 память удалось разогнать до 918 МГц. Прямо сказать – результат не выдающийся, но обращаю ваше внимание, что для этого не потребовалось повышать номинальное напряжение в 2.1 В. При увеличении последнего до 2.4 В без изменения таймингов память стабильно функционировала на 1015 МГц, а вот это уже отличный результат! Отмечу, что основной прирост частоты (примерно в 80 МГц) идёт при увеличении напряжения до 2.25-2.3 В, а дальнейшее повышение вольтажа на чипах позволяет повысить частоту ещё только на ~20 МГц. Таким образом, нельзя сказать, что G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK любит высокие напряжения.

При тестировании с таймингами 5-5-5-15 новинка не продемонстрировала чего-либо выдающегося, так как пришлось остановиться на частоте в 1014 МГц при 2.1 В и лишь 1033 МГц при 2.4 В. Очевидно, что G.Skill выпустила данную память, ориентируясь, в первую очередь, не на достижение самых высоких частот при разгоне, а на сохранение низкой латентности памяти. В общем, для любителей очень высоких частот рассматриваемая G.Skill F2 не подходит, увы.

Тест памяти из информационно-диагностической утилиты Everest после оверклокинга с таймингами 4-4-4-10 продемонстрировал следующие результаты:





При этом бенчмарк из архиватора WinRAR 3.70b4, известный как наиболее зависимый от таймингов работы оперативной памяти, выдал результат в 1260 Кб/сек.

Далее я занялся снижением задержек памяти на достигнутой частоте. К сожалению, ни один из основных таймингов без потери в стабильности понизить не удалось, зато прочие были снижены до следующих значений:

После чего снова проверка пропускной способности и латентности в Everest:

Изменения здесь можно наблюдать только в операциях копирования и совсем немного в латентности. А вот бенчмарк в WinRAR прореагировал куда заметнее, увеличив результат до 1480 Кб/сек.

Ну что же, в целом неплохую новинку выпустила компания G.Skill, так как далеко не каждая память потянет стабильную работу на эффективной частоте выше 1000 МГц с таймингами 4-4-4-10 при напряжении в 2.25 В. Жаль, конечно, что память не является универсальной с точки зрения оверклокинга и не способна функционировать на высоких частотах (~1200 МГц) с увеличенными таймингами. Однако, для потенциальных покупателей подобных комплектов оперативной памяти (стоимостью около 300 долларов США) высокая частота не столь критична, так как вряд ли в их системных блоках установлены младшие модели процессоров. Впрочем, дальше гадать не буду, а напоследок лучше дополню представление об оверклокерском потенциале G.Skill F2-6400CL4D-2GBHK статистикой разгона с зарубежных сайтов:





Наименование ресурса Материнская плата Тайминги, частоты (МГц),
напряжения
4-4-4(3) 5-5-5
VR-Zone ASUS P5B Deluxe 920 / 2.1 В
1020 / 2.3 В
1102 / 2.3 В
Norway Hardware ASUS P5N32-SLI Deluxe 950 / 2.2 В 1066 / 2.3 В
Denmark Tweakup DFI LanParty UT NF590
SLI-M2R/G
956 / 2.3 В 1080 / 2.3 В
France Nokytech ASUS P5B Deluxe 1030 / 2.3 В 1032 / 2.25 В
Tweak PC EVGA 680i 1010 / 2.1 В 1100 / 2.1 В

Ещё одним комплектом хорошей памяти на рынке стало больше. Ну а выбор как всегда за вами.

Дискуссии по теме статьи в конференции Overclockers.ru:

Статистика разгона памяти DDR2.
Что вы думаете о памяти G.Skill?

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Страницы материала
Страница 1 из 0
Оценитe материал
рейтинг: 4.1 из 5
голосов: 34

Комментарии 54 Правила



Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают