Источник изображения: Samsung
Samsung продолжает инновации в области твердотельных накопителей, не успев ещё запустить в продажу полноценные устройства PCIe 5.0, уже работает над флеш-памятью, которая будет питать не только самые скоростные накопители PCIe 5.0, но и заложит фундамент для будущего стандарта PCIe 6.0. Новые 3D NAND чипы с более чем 400 слоями будут отличаться скоростью интерфейса в 5.6 GT/s и дебютируют на Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC).
Память Samsung V-NAND 10-го поколения сохранит TLC структуру (три бита в каждой ячейке) с ёмкостью в 1 Тбит (128 ГБ) на один кристалл. С заявленной плотностью хранения 28 Гбит/мм², она лишь немного отстаёт от рекордсмена по плотности 1 Тбит QLC V-NAND, который Samsung производит с плотностью 28,5 Гбит/мм².
На сегодняшний день чипы NAND могут содержать от 8 до 16 кристаллов в пакете, что позволяет создавать накопители с объёмом до 2 Тбайт на 16 кристаллов, и при использовании четырёх таких пакетов на одностороннем SSD достигает 8 Тбайт, а с двухсторонней конфигурацией M.2 2280 до 16 Тбайт. При этом стоит отметить, что непосредственно Samsung в последнее время сосредоточилась именно на односторонних SSD.
Ключевым новшеством 10-го поколения V-NAND является его скорость интерфейса в 5.6 GT/s, что существенно превосходит аналогичные решения, например, память от YMTC с 3.6 GT/s. Эта скорость позволит десяти устройствам полностью занять пропускную способность PCIe 4.0 x4, а двадцати — PCIe 5.0 x4, что необходимо для создания самых быстрых накопителей. С потенциальной возможностью интеграции до 32 кристаллов в двух пакетах NAND, это технология уже на полпути к максимальной производительности интерфейса PCIe 6.0 x4.
Samsung намерена раскрыть детали о своём 10-м поколении V-NAND на ISSCC 2025, предполагая начало массового выпуска в следующем году. Тем не менее, дата появления этой памяти в собственных продуктах Samsung остаётся под вопросом. Начало производства в 2025 году не гарантирует немедленного появления этой памяти в новых SSD от Samsung.
