Компания Intel стремится извлечь выгоду из растущего спроса на память типа DRAM, заключив партнёрское соглашение с дочерней компанией SoftBank для запуска производства памяти по новой технологии Z-Angle Memory (ZAM), сообщает Wccftech.
Источник изображения: ИИ-генерация Google Gemini (Nano Banana)
Стремительное развитие искусственного интеллекта привело к колоссальному росту спроса на память. Возникла огромная нагрузка на цепочку поставок, в результате чего новые игроки на рынке просто необходимы. Предполагается, что именно поэтому у Intel снова проснулся интерес к бизнесу в этом сегменте. Утверждается, что компания будет разрабатывать новый стандарт межсоединений ZAM в сотрудничестве с Saimemory, дочерней SoftBank.
Разработка технологии ZAM началась в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT), инициированной Министерством энергетики США. Intel уже продемонстрировала свою технологию межсоединений следующего поколения. В ZAM используется ступенчатая диагональная топология вместо прямого сверления.
Благодаря «Z-соединениям» Intel эффективнее использует кремний для размещения ячеек памяти, что позволяет добиться более высокой плотности и снизить тепловое сопротивление. Предполагается, что в ZAM используется гибридное соединение медь-медь, что также обеспечит более эффективное межслойное соединение и создаст «монолитный» кремниевый блок вместо отдельных стеков. Для соединения памяти с вычислительным чипом будет использоваться технология упаковки Intel EMIB.
Сотрудничество SoftBank с Intel в области ZAM расширяет для первой варианты дальнейшего развития собственного направления по разработке специализированных чипов, компания получит больший контроль над архитектурной компоновкой. У Intel уже был отдельный бизнес в сегменте DRAM, но она вышла из него в 1985 году из-за падения доли рынка в результате конкуренции со стороны японских поставщиков.
Компания Saimemory планирует увеличить емкость памяти в два-три раза по сравнению с современными HBM, снизить энергопотребление на 40…50% и при этом сохранить конкурентоспособную стоимость. Прототипы должны быть готовы к началу 2028 года, а коммерческие продукты — к 2029 году. Сообщается, что SoftBank инвестирует около 3 миллиардов йен на этапе создания прототипов. Для Intel это партнерство знаменует возвращение к передовым технологиям памяти после ухода с рынка DRAM несколько десятилетий назад, пишет TechPowerUp.
