Южнокорейская компания SK Hynix в третий раз обновила спецификации своей памяти стандарта HBM3, находящегося в стадии разработки. Еще в октябре прошлого года SK Hynix сообщила, что у нее будет 12-слойная память HBM3 DRAM со скоростью 820 ГБ/с, но для «демонстрации» на ISSCC 2022 готовится еще более быстрая память с пропускной способностью 896 ГБ/с.

 Подробности пока неизвестны, но название уже подтверждает скорость и конфигурацию памяти. Это также должна быть 12-слойная память HBM3 DRAM емкостью 196 Гб (24 Гб). Неясно, является ли этот тип памяти прототипом на бумаге, или SK hynix намеревается запустить её в массовое производство.

 В первых спецификациях SK Hynix для HBM3 была указана скорость передачи данных 5,2 Гбит/с на контакт (665 ГБ/с), но несколько месяцев спустя спецификации были улучшены на 23% до 6,4 Гбит/с (819 ГБ/с). Новейшая память 7 Гбит/с обеспечит дополнительное повышение скорости на 10% по сравнению со спецификацией от 21 октября.

 Кроме того, компания также планирует память GDDR6 со скоростью 27 Гбит/с на основе T-катушки с функцией Merged-MUX TX и альтернативной шиной данных. Такая память будет даже быстрее, чем память Samsung на 24 Гбит/с, которая сейчас находится на стадии отбора. Память Hynix будет иметь объем 16 ГБ, то есть такую же емкость, как у Samsung GDDR6 и Micron GDDR6X.