Согласно информации Reuters, Китай разработал рабочий прототип установки для EUV-литографии, который в настоящее время проходит тестирование. Это достижение стало результатом обратного проектирования сканеров EUV-литографии ASML китайскими компаниями и создания функциональной версии с использованием бывших в употреблении компонентов. Сообщается, что новый прототип EUV занимает целый производственный цех, сопоставимый по размеру с современными установками EUV с высокой числовой апертурой (High-NA) от ASML. Китайские компании, как утверждается, приобрели детали от более старых установок ASML на вторичном рынке. Правительство Китая первоначально поставило цель начать производство рабочих чипов на основе прототипа к 2028 году.
Возглавляет эту инициативу китайский гигант Huawei, который работает над созданием внутренней цепочки поставок для ИИ, чтобы обойти ограничения со стороны зарубежных технологий. В Гуаньлане Huawei создала комплексное предприятие по производству полупроводников с использованием 7-нм технологии для своих специализированных процессоров. Недовольная ограниченными производственными мощностями SMIC, Huawei взяла под контроль весь процесс производства чипов, от закупки материалов и химикатов до оборудования для изготовления пластин и проектирования чипов. Компания прилагает беспрецедентные усилия для разработки всех компонентов цепочки поставок ИИ внутри страны, от оборудования для производства пластин до создания моделей и теперь уже сканеров EUV для более совершенных технологических процессов.
В начале этого года сообщалось о тестировании новой установки EUV на предприятии Huawei в Дунгуане. Эта установка использует технологию лазерно-индуцированного разряда плазмы (LDP), представляющую собой революционный подход к генерации EUV-излучения. Подход LDP, используемый в китайской системе, генерирует EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм путем испарения олова между электродами и преобразования его в плазму посредством высоковольтного разряда, где столкновения электронов и ионов создают необходимую длину волны. Эта методология предлагает ряд технических преимуществ по сравнению с методом лазерно-индуцированной плазмы (LPP) компании ASML, включая упрощенную архитектуру, уменьшенные габариты, повышенную энергоэффективность и потенциально более низкие производственные затраты.
В ближайшие кварталы китайские компании, участвующие в этом проекте, должны обеспечить необходимое функционирование оборудования. Необходимо решить вопросы, связанные с разрешением, стабильностью производительности и интеграцией с существующими процессами производства полупроводников.
