Samsung сегодня заявила, что разработала новые микросхемы памяти DDR5 емкостью 16 Гб, обеспечивающие скорость передачи данных до 7200 МТ/с. Массовое производство новых ИС начнется в следующем году с использованием новейшего 12-нанометрового техпроцесса DRAM. В настоящее время компания проверяет свои новейшие устройства памяти в AMD. 

Чипы памяти Samsung 16 Гб DDR5, изготовленные с использованием 12-нм техпроцесса, помимо высокой скорости, как заявляет компания, потребляют на 23 % меньше энергии, чем их предшественники (хотя неизвестно, при какой скорости), и обеспечивают на 20 % более высокую производительность, что, по сути, означает что они примерно на 20% меньше по сравнению с предшественниками и, следовательно, могут быть дешевле в производстве.  

Увеличенная плотность битов и более высокие скорости передачи данных по умолчанию означают, что 12-нм техпроцесс Samsung DRAM позволит компании в будущем производить микросхемы памяти с более высокой плотностью, а также устройства со скоростью выше 7200 МТ/с. 

Микросхемы памяти, рассчитанные на передачу данных со скоростью до 7200 МТ/с при номинальном напряжении, обещают значительно увеличить производительность ПК следующего поколения, которые смогут использовать их преимущества. Кроме того, эти ИС обещают еще больше расширить границы разгона DDR5 для энтузиастов, поэтому следует ожидать еще более быстрые модули DDR5 в 2023 году и далее. Между тем, стоит отметить, что прямо сейчас компания проверяет свои последние чипы DDR5-7200 с AMD, что может означать (хотя это предположение), что разработчик процессора планирует начать поддерживать этот диапазон скоростей как можно раньше.

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы расширить границы технологий, — сказал Джо Макри, старший вице-президент, корпоративный сотрудник и клиент, технический директор по вычислениям и графике в AMD. «Мы очень рады снова сотрудничать с Samsung, особенно в области выпуска продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen». 

Чтобы сегодня получить подсистему памяти со скоростью передачи данных 7200 МТ/с, нужно либо использовать модули памяти, созданные для оверклокеров и обычно работающие при напряжении выше номинального, либо чипы памяти LPDDR5X. В первом случае подсистема памяти будет энергоемкой и дорогой, тогда как во втором случае она будет дорогой. Обычные микросхемы памяти DDR5-7200 с номинальным напряжением позволяют увеличить пропускную способность памяти значительно дешевле. 

12-нм производственный узел Samsung — это процесс производства DRAM 5-го поколения класса 10-нм и технология 2-го поколения для памяти, в которой используется экстремальная ультрафиолетовая литография (EUV). Использование нескольких слоев EUV позволяет Samsung печатать схемы быстрее (т. е. без использования нескольких шаблонов) и с большей точностью, что может привести к снижению затрат, а также к более высокой производительности и/или энергоэффективности. В дополнение к более широкому использованию EUV Samsung также внедрила новый материал high-k и усовершенствовала конструкцию критических цепей. 

Между тем, сканеры EUV значительно дороже, чем инструменты литографии глубокого ультрафиолета (DUV), используемые для производства памяти и логики, поэтому нельзя утверждать, что широкое использование EUV сильно снижает затраты на производство DRAM, по крайней мере, на данный момент. Тем не менее пока ничего неизвестно о производственных затратах Samsung, поэтому оставим эту часть на усмотрение аналитиков DRAM IC. 

Что немного странно, так это то, что Samsung не раскрывает, когда именно она планирует начать массовое производство своих 16-гигабайтных чипов DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на своем 12-нм узле. 2023 год — довольно расплывчатое определение, поскольку Samsung может начать крупносерийное производство в январе 2023 года или в декабре 2023 года.  

Похоже, что компания несколько отстает от своих отраслевых коллег благодаря процессу производства 10-нм класса 5-го поколения. Micron официально начала выборку своей памяти LPDDR5X-8500, изготовленной по производственной технологии 1β (1-бета) в начале ноября, хотя использование Samsung EUV может дать компании преимущество перед конкурентом.