Samsung Electronics, ведущий мировой производитель микросхем памяти, представила линейку новых концептуальных микросхем DRAM следующего поколения, включая самый продвинутый в отрасли HBM3E.
Емкость HBM3E DRAM в 1,5 раза превышает емкость существующих HBM3 DRAM, при этом скорость обработки данных примерно на 50% выше, а энергоэффективность - на 10%. Samsung уже отправила образцы таким клиентам, как Nvidia Corp. и AMD.
Samsung также продемонстрировала съемный твердотельный накопитель (SSD) и GDDR7 с высокой пропускной способностью, используемые в автомобилях, заявив, что стремится занять первое место на рынке автомобильных чипов памяти к 2025 году.
Твердотельный накопитель, предназначенный для встраивания в транспортные средства, имеет емкость 4 ТБ и скорость непрерывного чтения до 6500 мегабайт в секунду (МБ/с). В прошлом месяце компания выпустила твердотельный накопитель емкостью 4 ТБ, подходящий для игровых устройств.
Samsung также разрабатывает 11-нм чипы памяти. 12-нм процесс изготовления в настоящее время является самой передовой технологией в отрасли.
В ходе мероприятия Samsung продемонстрировала другие типы высокопроизводительных, емких и маломощных чипов памяти, включая 32-гигабитную DDR5, самую емкую в отрасли память. Компания также представила LPDDR5X CAMM2 со скоростью 7,5 Гбит/с, специализированный чип с низким энергопотреблением для использования в персональных компьютерах и центрах обработки данных.
Samsung стремится занять лидирующие позиции на рынке микросхем DRAM следующего поколения и автомобильных чипов памяти, разрабатывая новые технологии и предлагая индивидуальные услуги "под ключ".
