Рынок памяти готовится к очередному витку наращивания плотности хранения. Классические планарные решения уже давно столкнулись с ограничениями, поэтому производители соревнуются в количестве слоев в 3D NAND. Samsung сообщила о создании прототипа 900‑слойной V‑NAND, где компания использовала технологию Cell Multi‑Bonding и соединила два 450‑слойных массива в один кристалл. По сути, это промежуточный шаг на пути к заявленной ранее 1000‑слойной архитектуре, над которой Samsung работает с опорой на новые ферроэлектрические материалы.

Изображение: WCCFTech

Для выхода на 900 слоев инженерам пришлось решить проблему искривления пластин, применив конструкцию Upper Chuck Design, а также доработать выравнивание с помощью технологий коррекции наложения. Компания рассчитывает использовать такую память в широком спектре устройств — от корпоративных SSD до клиентских накопителей в ПК и смартфонах.

В этом направлении работают и конкуренты. SK Hynix уже выпускает 321‑слойную NAND и разрабатывает решения с более чем 400 слоями, а китайская YMTC продвигает свои 232‑ и 294‑слойные чипы и расширяет производственные мощности на фоне высокого спроса, связанного с ИИ. По текущему плану, к 2030 году Samsung намерена вывести на рынок 1000‑слойную V‑NAND, а технологии уровня 400+ слоев должны стать массовыми в ближайшие годы.