v‑nand
всего материалов по тегу -
1
Samsung показала прототип 900‑слойной V‑NAND и готовится к 1000 слоям
Samsung разработала прототип 900‑слойной V‑NAND, фактически объединив два 450‑слойных стека в одном чипе. Компания продолжает работу по созданию 1000‑слойной памяти, выпуск которой планирует к 2030 году.

