С каждым годом требования к производительности и емкости флэш-памяти растут, особенно в контексте стремительного развития технологий искусственного интеллекта. В ответ на эти вызовы компания Lam Research представила свою новейшую технологию — Lam Cryo™ 3.0, которая обещает революционизировать процесс производства 3D NAND-памяти.

Lam Cryo™ 3.0 представляет собой третье поколение технологии низкотемпературного диэлектрического травления, предназначенное для создания флэш-памяти 3D NAND. С этой технологией компания стремится помочь производителям памяти достигнуть амбициозной цели — выпуска 1000-слойной 3D NAND к концу 2030 года. По словам старшего вице-президента Lam Research, Сеши Варадараджана, эта новая технология является важным шагом вперед, обеспечивая высокий уровень точности и производительности.

Одним из самых впечатляющих аспектов Lam Cryo™ 3.0 является ее способность создавать элементы с высоким соотношением сторон (HAR) с точностью на уровне ангстремов. Это означает, что даже самые незначительные отклонения в процессе травления могут негативно сказаться на электрических характеристиках конечного продукта. В частности, при производстве 3D NAND необходимо соединять ячейки памяти через вертикальные каналы, и любые ошибки на атомном уровне могут привести к снижению производительности.

Технология Lam Cryo™ 3.0 использует высокоэнергетический закрытый плазменный реактор, работающий при температурах значительно ниже 0°C. Это позволяет эффективно травить каналы с соотношением сторон 50:1 и глубиной до 10 мкм. Важно отметить, что отклонение размеров на нижнем уровне составляет менее 0,1%, что обеспечивает высокую надежность и стабильность производимого продукта.

Сравнивая Lam Cryo™ 3.0 с традиционными диэлектрическими процессами, можно отметить, что новая технология демонстрирует скорость травления, в 2,5 раза превышающую показатели предыдущих методов. Это значительно ускоряет производственный процесс, что особенно важно в условиях растущего спроса на флэш-память, вызванного развитием облачных технологий и приложений на периферии.

Кроме того, Lam Cryo™ 3.0 имеет значительные преимущества в плане устойчивости к окружающей среде. Потребление энергии снижается на 40%, а выбросы сокращаются на впечатляющие 90%. Эти характеристики делают технологию более экологически безопасной, что становится все более важным фактором для производителей в свете глобальных экологических проблем.

Нил Шах, соучредитель и вице-президент по исследованиям Counterpoint Research, подчеркивает, что искусственный интеллект создает экспоненциальный спрос на производительность флэш-памяти. Технология Lam Cryo™ 3.0 является значительным шагом вперед, позволяя производителям создавать более глубокие каналы памяти с высокой точностью и контролем. «Этот прорыв значительно повышает выход усовершенствованной 3D NAND и общую производительность, позволяя производителям микросхем успешно конкурировать в эпоху ИИ».