реклама
Samsung Electronics объявила о разработке микросхем памяти DDR5 DRAM плотностью 16 Гбит, для производства которых впервые в отрасли используется технологический процесс класса 12 нм. Компании удалось добиться высочайшей плотности, на 20% увеличив выход продукции с каждой пластины. Это является следствием применения материалов с высокой диэлектрической постоянной, новых технологий проектирования для улучшения характеристик схем, многослойной литографией в жёстком ультрафиолете (EUV).
Новая DDR5 позволит увеличить скорость до 7,2 Гбит/с при снижении энергопотребления на 23%, по сравнению с предыдущими разработками. Массовое производство памяти класса 12 нм запланировано на 2023 год. Ожидается, что новая технология распространится на широкий спектр сегментов рынка, чтобы ускорить этот процесс, Samsung ведёт активную работу с партнёрами в отрасли, в том числе, компанией AMD. Новая продукция уже прошла проверку на совместимость с платформами AMD: «…Мы очень рады новому сотрудничеству с Samsung, в частности, по выпуску продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах "Zen"», — сказал Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент, ведущий научный сотрудник и технический директор отдела по работе с клиентами, вычислениям и графике в компании AMD.
- Источники
- Samsung Electronics
