Платим блогерам
Блоги
Moleculo
Исследователям TSMC, Национального тайваньского университета (NTU), Массачусетского технологического института (MIT) потребовалось полтора года, чтобы доказать возможность успешного применения полуметалла.

реклама

Разработка все более сложных технологических процессов не останавливается. Один из лидеров отрасли, компания TSMC, ускоренными темпами движется к началу производства по нормам 3 и 2 нм, продвигаясь в освоении технологий, которые должны помочь в достижении более совершенных техпроцессов.

Одна из проблем — физические пределы кремния, ограничивающие количество транзисторов, которое можно разместить на единице площади кристалла. Мировое научное сообщество активно изучает альтернативные материалы, в том числе двумерные, но их применение ограничивается проблемой высокого сопротивления в месте контакта металла с полупроводником.

Оригинальное фото Laura Ockel, Unsplash

реклама

 

TSMC, Национальный тайваньский университет (NTU), Массачусетский технологический институт (MIT) и несколько других научных учреждений в результате совместного исследовательского проекта решили эту проблему. Специалисты предложили использовать полуметалл висмут (Bi) для контактного электрода двумерного материала. Висмут может значительно снизить сопротивление и увеличить ток, делая характеристики двумерных и кремниевых материалов сопоставимыми. Это поможет полупроводниковой промышленности достичь и преодолеть техпроцесс 1 нм.

В рамках сотрудничества Массачусетский технологический институт является изобретателем полуметаллических висмутовых электродов, TSMC оптимизировала процесс осаждения висмута (Bi), а команда Национального тайваньского университета использовала ионно-лучевую литографию, чтобы успешно сузить каналы компонентов до наноразмеров. Исследование длилось полтора года.

Источники: MyDrivers, Xfastest, Nature

Источник: news.mydrivers.com
13
Показать комментарии (13)

Популярные новости

Популярные статьи

Сейчас обсуждают