Корейский технологический гигант Samsung анонсировал старт массового производства девятого поколения памяти с вертикальной укладкой слоев (V-NAND) с четырёхуровневой структурой ячеек (QLC). Чипы новой технологии обладают емкостью 1 Тбит (128 ГБ), что значительно превышает возможности предыдущих поколений.

Особенности новой V-NAND от Samsung:

Увеличение плотности ячеек

Samsung использовала инновационную технологию Channel Hole Etching, которая позволила увеличить плотность ячеек на 86% по сравнению с предыдущим поколением. Это достигается за счет более эффективного использования пространства на кристалле.

Повышение надежности хранения данных

Технология Designed Mold позволяет точно регулировать расстояние между Word Lines (WL), что привело к увеличению надежности сохранения информации на 20%. Это улучшает стабильность работы памяти при интенсивных нагрузках.

Высокая производительность и энергоэффективность

Инновационная система Predictive Program обеспечивает контроль над изменением состояния ячеек, что существенно увеличивает производительность записи до двух раз. Скорость ввода/вывода данных возросла на величину до 60%, а Low-Power Design позволил снизить рабочее напряжение ячеек, что привело к сокращению расхода энергии до 30% на чтение и до 50% на запись.

Новая V-NAND QLC демонстрирует значительный прогресс в области разработки высокопроизводительных и энергоэффективных решений для хранения данных. Все эти улучшения делают новую память идеальным решением для различных продуктов компании, включая потребительские устройства, накопители для корпоративных нужд и серверов искусственного интеллекта, а также и мобильные решения в формате Universal Flash Storage (UFS).