реклама
Похоже, Intel решила прекратить споры о том, чьи нанометры меньше, изменив схему именования своих технологических узлов, сообщает ресурс VideoCardz.
реклама
Источник изображения: VideoCardz
Как информирует источник, 10-нм технологический процесс Enhanced SuperFin, который будет применяться при производстве десктопных и серверных CPU семейств Alder Lake и Sapphire Rapids, в новой редакции получил достаточно лаконичное название Intel 7. Отмечается, что данный узел сможет похвастаться оптимизацией транзисторов FinFET, а также возросшим на 10-15 % показателем производительность/ватт по сравнению с 10-нм SuperFin.
Известный ранее как 7-нм узел, который должен использоваться при выпуске настольных и серверных процессоров Meteor Lake и Granite Rapids, отныне будет именоваться Intel 4: отмечается полное использование EUV-литографии, а также прирост параметра производительность/ватт на 20 % при сравнении с Intel 7.
Следующим этапом в производственном процессе «синей команды» станет узел Intel 3, который, по заверениям компании, принесёт увеличение показателя производительность/ватт на 18 %, а также ряд других улучшений. Первые продукты с задействованием данного техпроцесса должны увидеть свет уже во второй половине 2023 года.
Выбивается из стройного ряда своих «сотоварищей» технологический узел 20A, где «A» означает не что иное, как ангстрем (1 Å равен 0.1 нм), которому уготована участь инновационного: он получит новую архитектуру транзисторов, именуемую RibbonFET, а также многообещающую технологию межсоединений PowerVia.
Помимо этого, Intel приоткрыла завесу тайны над новыми вариациями пространственной компоновки: сообщается, что Foveros Omni сможет похвастаться высокой производительностью вкупе с гибкостью, а Foveros Direct будет отличаться низкими задержками благодаря прямому соединению медь-медь.