Платим блогерам
Блоги
goldas
Несколько дней назад компания TSMC отпраздновала выпуск миллиардного чипа, произведенного по 7 нм техпроцессу. Но тайваньская компания смотрит в ближайшее будущее и вчера она представила новые детали своих 5 и 3 нм техпроцессов.

 Несколько дней назад компания TSMC отпраздновала выпуск миллиардного чипа, произведенного по 7 нм техпроцессу. Но тайваньская компания смотрит в ближайшее будущее и вчера она представила новые детали своих 5 и 3 нм техпроцессов.

 Что касается 5-нм техпроцесса (N5), то TSMC заявила, что использует технологию глубокого ультрафиолета (DUV) и экстремального ультрафиолета (EUV), а первыми 5-нм чипами, которые будут выпущены в этом году, должны  стать процессоры Apple A14 Bionic нового поколения. TSMC также сообщает, что N5 имеет лучшую производительность по сравнению с предыдущими узлами N7 и N10, и ожидается, что прогнозируемое количество снизится в сравнении с предшествующими техпроцессами.

 Между основными узлами N5 и N3 компания TSMC планирует ввести два дополнительных. Одним из них станет N5P, представляющий собой слегка улучшенную версию N5, который, как ожидается, получит повышение производительности на 5% и снизит требования к питанию на 10%. Его массовое производство, использующее EUV литографию запланировано в 2022 году.

 N3 запланирован на второе полугодие 2022 года, но похоже, что компания TSMC не будет в нем пытаться реализовать структуру транзистора с полным затвором (GAAFET). Судя по всему, этот тип транзисторов все еще слишком сложен для реализации, требуя слишком большого количества изменений в процессе производства. Intel пыталась внедрить транзисторы GAAFET для своих 7-нм чипов, однако, и ей пришлось отказаться от своих планов и отложить запуск до 2022 года. Только Samsung в настоящее время все еще разрабатывает структуру GAAFET для своих будущих 3-нм чипов. Вместо транзисторов GAAFET TSMC будет использовать технологию FinFET. Однако, несмотря на использование обновленной версии более старой технологии FinFET, TSMC считает, что ее узел N3 будет лучше с точки зрения плотности по сравнению с 3-нм узлами GAAFET от Samsung.

 Усовершенствования узла N3 по сравнению с N5 включают снижение энергопотребления на 25–30%, повышение производительности на 10–15% и увеличение плотности транзисторов в 1,7 раза, что приведет к уменьшению размеров кристаллов на 42%.

Источник: notebookcheck.net
4
Показать комментарии (4)

Популярные новости

Сейчас обсуждают