Сообщается, что компания Intel хочет, чтобы ее платформа для настольных ЦП следующего поколения была максимально производительной, и один из способов сделать это — поддерживать максимально быструю память. По словам авторитетного инсайдера MebiuW, компания работает над тем, чтобы платформа под кодовым названием Arrow Lake-S поддерживала сверхмощные модули CUDIMM (Clock-Unbuffered Dual In-line Memory Modules), включая те, которые поддерживают скорость передачи данных DDR5-10000.
Уже известно, что процессоры Intel следующего поколения могут поддерживать модули DDR5-9600 CUDIMM со специально разработанным профилем XMP 3.0, скоростью 4800 МТ/с и частотой контроллера памяти 2400 МГц. MebiuW утверждает, что будущие процессоры линейки Arrow Lake-S также могут работать с модулями памяти на скорости до DDR5-10000, предположительно в режиме Gear 2. Стоит иметь в виду, что это неофициальная информация, которая может содержать неточности.
Пара модулей DDR5-10000 CUDIMM, работающих в двухканальном режиме, обеспечит пиковую пропускную способность памяти 160 ГБ/с, что весьма недурно. Для сравнения, два модуля DDR5-9600 DRAM обеспечивают пиковую пропускную способность в 96 ГБ/с.
Когда в начале этого года на мероприятии Computex появились модули памяти CUDIMM, то было обнаружено, что настольная платформа AMD Ryzen 9000 их не поддерживает. Появилось подозрение, что они предназначены для настольной платформы следующего поколения, подразумевая линейку Intel Arrow Lake-S.
На данный момент Asgard, Biwin и V-Color уже анонсировали модули памяти CUDIMM для настольных ПК. Известные поставщики высокоскоростных модулей, такие как G.Skill, также продемонстрировали их. Ни одна из этих компаний официально не подтвердила, что работает с платформой Intel LGA-1851, но профили XMP на этих модулях, которые по определению оптимизированы для процессоров Intel, подразумевают будущие процессоры Arrow Lake-S.
Хотя модули CUDIMM обеспечивают высокую скорость передачи данных, следует отметить, что их рабочие напряжения составляют от 1,45 В до 1,5 В для скоростей выше DDR5-9000, что на 32 - 36% выше, чем стандартизированные модули памяти DDR5. Хотя микросхемы DRAM могут легко выдерживать напряжения на 10 - 15% выше стандартных, увеличение на 30% представляет собой значительный риск повреждения этих микросхем. Кроме того, с существенным ростом напряжения памяти, микросхемой CKD и микросхемой управления питанием PMIC эти будущие модули CUDIMM должны стать довольно горячими и, вероятно, потребуют соответствующей системы охлаждения.
