По данным источника, цитируемого TrendForce, Samsung добилась прогресса в выпуске новой 1c DRAM — технологии шестого поколения, выполненной по нормам 10 нм. В ходе тестирования уровень выхода годных чипов составил от 50 до 70%, что значительно выше предыдущих результатов прошлого года, когда этот показатель был ниже 30%. Такой рост позволяет компании двигаться дальше в освоении нового техпроцесса и увеличивать объёмы выпуска.
В отличие от конкурентов, таких как SK Hynix и Micron, которые пока делают ставку на 1b DRAM для своих решений в формате HBM4, Samsung решила перейти к более передовой, но сложной версии 1c DRAM. Это связано с тем, что новый тип памяти обещает выше плотность и энергоэффективность, что особенно важно для мобильных устройств и серверного оборудования. Однако такой подход несёт риск: внедрение новых стандартов требует времени и дополнительных доработок.
Ранее планировалось начать массовое производство в конце 2024 года, но из-за переработки конструкции сроки были сдвинуты. Теперь новые чипы будут выпускаться на заводе Pyeongtaek Line 4, а компоненты для HBM4 — на Pyeongtaek Line 3. Увеличение объёмов производства ожидается уже до конца 2025 года, что поддержит выпуск других продуктов, ориентированных на ИИ и высокопроизводительные вычисления.
Для рынка полупроводников эти изменения стали важным сигналом: Samsung продолжает развивать собственные разработки в области памяти, несмотря на сложности. Остаётся ждать, как быстро компания сможет нарастить объёмы и какие преимущества принесёт использование этой памяти в реальных устройствах.
