Южнокорейская корпорация Samsung, являющаяся одним из мировых лидеров по производству чипов памяти DRAM и NAND, представила микросхемы DDR5 емкостью 32 Гбит – подобный объем уже в ближайшем будущем позволит выпустить на массовый рынок 128-гигабайтные модули памяти. Соответственно, могут увидеть свет комплекты из двух и четырех таких планок, суммарно составляющие 256 ГБ или 512 ГБ.

Сообщается, что массовое производство 32-гигабитных чипов памяти DDR5 запланировано на конец текущего года, а значит, использующая их ОЗУ с высокой вероятностью появится уже в следующем году. Выпускаться микросхемы будут по 12-нанометровому техпроцессу. В своем пресс-релизе Samsung упомянула, что с 1983 года емкость модулей оперативной памяти выросла в 500 тысяч раз. Так, 40 лет назад компания предлагала решения емкостью 64 КБ. Впрочем, «аппетиты» программного обеспечения и игр растут соразмерно технологическим достижениям – некоторым современным проектам AAA-класса для обеспечения плавности геймплея требуется уже больше 16 ГБ оперативной памяти.