Согласно отчету DigiTimes со ссылкой на Seoul Economic Daily, Samsung Electronics готова использовать архитектуру с двойным стеком для своей памяти 3D-NAND 9-го поколения. Она начнет ее производство в следующем году. Это отличает Samsung от SK Hynix, которая использует три стека NAND для создания своих 321-слойных устройств 3D NAND. Они поступят в массовое производство в первой половине 2025 года.

Samsung V-NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями будет опираться на технику двойного стека, которую Samsung впервые применила в 2020 году со своими 176-слойными чипами 3D NAND 7-го поколения. Этот метод включает в себя создание одного стека 3D NAND на пластине диаметром 300 мм, а затем создание другого стека поверх первого. 300-слойная технология 3D NAND от Samsung повысит плотность хранения данных на одной пластине и позволит производителям создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять топовые.

Напротив, конкурент SK Hynix объявил о своем намерении начать производство своей 321-слойной памяти 3D NAND в 2025 году, используя подход с тремя стеками. Эта процедура, отличная от процедуры Samsung, будет включать в себя создание трех отдельных наборов слоев 3D NAND, что увеличит количество шагов и использование сырья, но предназначено для максимизации выхода, поскольку проще производить стеки 3D NAND с меньшим количеством слоев.

Отраслевые предположения, основанные на просочившихся дорожных картах, предполагают, что после 3D NAND 9-го поколения Samsung может принять методологию тройного стека для своей 430-слойной 3D NAND 10-го поколения. Некоторые эксперты сообщили Seoul Economic Daily, что превышение 400 слоев в 3D NAND потребует использования трех отдельных стеков 3D NAND, возможно, из-за проблем с производительностью. Между тем, это, естественно, увеличит использование сырья и увеличит затраты на одну пластину 3D NAND. 

Долгосрочное видение Samsung, представленное на Samsung Tech Day 2022 в октябре прошлого года, направлено на достижение 1000 слоев к 2030 году.