Производство полупроводников переходит в эпоху техпроцесса 3 нм, а ведущие производители начинают экспериментировать с техпроцессом 2 нм. Впереди всех в этой гонке снова компания TSMC.

Появилась информация, согласно которой этот производитель ведёт предварительную работу над чипами с транзисторами размером 2 нм, собираясь в недалёком будущем начать пробное производство. Это позволит ему опередить конкурентов в лице Intel и Samsung.

TSMC отправила инженеров и других сотрудников на научно-исследовательский завод Zhuke в Баошане, Тайвань. Там до конца года должны быть выпущены тысяча пластин на техпроцессе 2 нм. Технологические планы TSMC показывали намерение начать производство на техпроцессе 2 нм в 2024 году, а промышленное производство должно стартовать в 2025 году.

В процессе производства может быть задействован метод AutoDMP с улучшенным ИИ на графических процессорах Nvidia DGX H100. ИИ в 30 раз быстрее умеет оптимизировать конструкцию чипов, что сокращает расход энергии и положительным образом влияет на экологию.

С этим техпроцессом производитель перейдёт на транзисторы с универсальным затвором (GAAFET). Это даст возможность повысить плотность транзисторов и сократить ток утечки. По сравнению с техпроцессом 3 нм производительность должна увеличиться на 10-15% при прежнем расходе энергии или потребление энергии уменьшится 20-25% при прежнем уровне производительности.

Intel планирует представить техпроцесс 2 нм в 2024 году, Samsung собирается начать промышленное производство в 2025 году. Оба производителя тоже будут применять GAAFET для повышения плотности компонентов и сокращения тока утечки. Японский производитель Rapidus собирается перейти на этот процесс в промышленном масштабе к 2027 году. В том же году Samsung хочет перейти на техпроцесс 1,4 нм, а TSMC на 1 нм, пишет Techspot.