Благодаря невероятно высокой пропускной способности памяти на чип и возможности стекирования, HBM стала популярна в высокопроизводительных графических процессорах с 2013 года. NVIDIA Grace Hopper GH200 получила память HBM3E. Intel также использовала HBM2E для своего процессора Xeon Max Sapphire Rapids.
SK Hynix представила партнерам свой HBM3E в мае, а Micron сделала то же самое в июле. В то время как HBM3E от SK Hynix и Micron может обеспечить скорость 8 Гбит/с и 9,2 Гбит/с на контакт соответственно, HBM3E от Samsung может обеспечить скорость 9,8 Гбит/с на контакт. В целом это огромная пропускная способность и существенное преимущество над конкурентами.
Хотя основное внимание в анонсе Samsung было явно уделено HBM3E, компания также анонсировала свои будущие чипы памяти GDDR7, скорость каждого чипа которых составит 32 Гбит/с. Для справки: максимальная скорость GDDR6X (созданная Micron для NVIDIA) составляет примерно 22 Гбит/с, а скорость обычной GDDR6 - 16 Гбит/с. GDDR6 существует уже некоторое время, впервые дебютировав в семействе NVIDIA GeForce RTX 20 в 2018 году, а GDDR6X вышла в серии RTX 30.
Ранее Samsung подробно раскрыла другие технические характеристики своей памяти GDDR7: она будет на 20% эффективнее GDDR6 и обеспечит пропускную способность памяти около 1,5 ТБ/с в некоторых конфигурациях. Ранее такие скорости на потребительских графических процессорах были возможны только с памятью HBM2, которая еще в 2019 году могла обеспечить пропускную способность чуть более 1 ТБ/с на Radeon VII. Даже у GeForce RTX 4090 пропускная способность памяти чуть меньше, чем у Radeon VII, но с GDDR7 похоже графические процессоры смогут получить скорости, ранее доступные HBM2.