Производители флеш-памяти продолжают наращивать количество слоев в своих чипах. На прошлой неделе Kioxia и ее партнер Sandisk объявили о начале тестирования новой разработки. Речь идет о памяти десятого поколения, которая должна задать новые стандарты для корпоративных накопителей.
Источник изображения: Kioxia
Новая память BiCS10 содержит 332 активных слоя. Плотность записи достигает 29 Гб/мм², что на 59% выше, чем у предшественника. Скорость передачи данных составляет 4800 МТ/с, что позволяет использовать такие чипы в накопителях с интерфейсами PCIe 5.0 и 6.0.
Компания позиционирует эту память исключительно для центров обработки данных. Для потребительских устройств предназначено предыдущее поколение BiCS9 — его будут выпускать на старых мощностях в Йоккаити. А новую 332-слойную память станут производить на современном заводе Fab 2 в префектуре Иватэ. Такое разделение позволяет снизить себестоимость массовой продукции и сосредоточить передовые линии на выпуске флагманских решений.
Инженеры переработали схему чтения. В обычной памяти линии слов после каждого обращения полностью разряжаются на землю, а затем заряжаются снова. В BiCS10 напряжение снижают только до промежуточного уровня, а не до нуля. При следующем чтении его поднимают с этого промежуточного значения. Из-за меньшего перепада напряжения линии слов заряжаются быстрее и потребляют меньше тока. Это особенно важно для высоких стеков — длинные линии создают задержки.
В результате задержка чтения сократилась примерно на 4 микросекунды (около 10%). Энергопотребление при операциях чтения уменьшилось на четверть — с 100 до 75 мДж/ГБ. Такие улучшения критичны для облачных сервисов, где операции чтения преобладают. Пока непонятно, появятся ли чипы BiCS10 в розничных SSD — это будет зависеть от рыночного спроса.
