Модуль изготовлен с применением технологий High-K Metal Gate (HKMG) и Through Silicon Via (TSV). Технология HKMG впервые была внедрена Samsung в памяти GDDR6 в 2018 году, она позволяет уменьшить токи утечки за счет применения диэлектриков с высокой проницаемостью и металлических затворов.
Технология сквозного соединения TSV позволила плотно расположить на модуле восемь наборов микросхем DRAM емкостью 16 гигабайт, обеспечивая максимальную емкость модуля 512 гигабайт. TSV впервые была использована в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью 256 ГБ. Новая память потребляет на 13% меньше энергии, что особенно важно для центров обработки данных, предъявляющих все более жесткие требования к энергоэффективности.
Скорость работы DDR5 от Samsung будет достигать 7200 мегабит в секунду, что обеспечит существенный прирост производительности в тяжелых рабочих нагрузках, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и других задачах анализа больших объемов данных.
Источник: Samsung
