Россия планирует вложить $2,54 миллиарда в развитие собственной индустрии оборудования для производства микросхем к 2030 году. Цель программы — снизить зависимость от импорта и создать условия для производства микросхем с использованием технологических процессов до 28 нм. В рамках проекта будет запущено 110 научно-исследовательских инициатив, направленных на создание отечественных решений для изготовления полупроводников и микроэлектроники.

На данный момент российские компании, такие как «Ангстрем» и «Микрон», уже производят микросхемы по технологическим процессам 65 нм и 90 нм. Однако только 12% оборудования, необходимого для производства, могут быть изготовлены внутри страны. Санкции существенно усложнили закупку оборудования, увеличив его стоимость на 40-50%. В ответ на это Министерство промышленности и торговли России (Минпромторг) совместно с МИЭТ разработали программу, направленную на создание отечественных альтернатив для 70% инструментов и материалов, используемых в производстве микроэлектроники.

Проект включает разработку различных технологий, таких как микроэлектроника, фотоника и силовая электроника, а также создание литографических систем для техпроцессов 350 нм, 130 нм и 90 нм. К 2030 году Россия планирует достичь уровня производства 65 нм и 28 нм микросхем, что позволит существенно укрепить позиции в полупроводниковой отрасли.

Несмотря на эти амбициозные планы, российская полупроводниковая индустрия всё ещё отстаёт от мировых лидеров. Однако развитие полупроводников в России продолжается, что является важным шагом в сторону технологической независимости страны.