Месяц назад крупный производитель полупроводников Samsung начал массовое производство 9-го поколения V-NAND QLC, которое создано для улучшения производительности, ёмкости и надёжности решений для хранения данных. Как рассказывает недавний отчёт Korean Economic Daily, компания уже планирует повысить эффективность с помощью следующей технологии V-NAND.
Сообщается, что Samsung выпустит новое поколение V-NAND в 2026 году. Это будет 10-е поколение с конфигурацией из 400 слоев, что на 120 слоев больше по сравнению с текущим 9-м поколением V-NAND. Это увеличение на 43% в количестве слоев в одном поколении значительно превосходит разницу между 8-м и 9-м поколениями V-NAND, где количество слоев изменялось с 236 до 280.
Чтобы достичь столь значительного числа слоев, компания Samsung планирует внедрить технологию вертикального связывания NAND (Bonding Vertical, BV), отличающуюся от нынешней конструкции CoP (Circuit on Periphery). В системе CoP схемы размещаются по краям над массивом памяти, в то время как подход вертикального связывания предполагает изначальное самостоятельное производство хранилищ и периферийных схем, после чего они будут скреплены вертикально.
Это не только поможет Samsung повысить емкость, но и уменьшит вероятность повреждения цепей во время укладки. Согласно информации, вертикальное связывание будет реализовано с использованием технологии, схожей с Xtacking от YMTC и CBA (CMOS Bonded Array) от Kioxia-Western Digital. Данный подход позволит достичь почти на 60% большей плотности данных, что значительно увеличит емкость накопителей при тех же габаритах.
Однако Samsung не собирается останавливаться на этом. Компания намерена разработать тысячу уровней V-NAND, хотя вряд ли это произойдет до 2027 года. Вполне возможно, что это будет реализовано в 11-м поколении V-NAND, что предполагает значительное увеличение количества слоев в 2,5 раза, что, в свою очередь, улучшит скорость ввода-вывода до 50%.
