В рамках последней недели компания ASML представила новейшее оборудование для литографии в крайнем ультрафиолете (EUV) третьего поколения - Twinscan NXE:3800E. Основным отличием данной системы является проекционная линза с числовой апертурой 0,33, что существенно повышает производительность в сравнении с предыдущей моделью Twinscan NXE:3600D. Данный аппарат разработан для выпуска самых совершенных чипов, включая 3 и 2-нанометровые узлы в ближайшие годы.

  ASML Twinscan NXE:3800E представляет новую ступень в области EUV-литографии с низкой числовой апертурой, улучшая производительность по числу обрабатываемых пластин в час и соответствующего обработанного наложения. Новейшая система способна обрабатывать свыше 195 пластин в час при дозе 30 мдж/см² с возможностью улучшения производительности до 220 пластин в час. Помимо этого, новый аппарат обеспечивает точность машинного накладывания менее 1,1 нм (точность выравнивания пластин).

  "Первая модель Twinscan NXE:3800E в настоящее время внедряется на заводе по производству микросхем. Благодаря новым этапам обработки пластин система обеспечит максимальную производительность при печати современных чипов. Мы поднимаем литографию на новый уровень", - заявили в компании.

  Усовершенствованная производительность Twinscan NXE:3800E от ASML смягчит один из главных недостатков технологии EUV, а именно ее относительно низкую производительность, что сделает технологические процессы, использующие EUV, доступнее для разработчиков чипов, вроде Apple, AMD, Intel, Nvidia и Qualcomm. Этот инструмент также станет ключевым для таких производителей памяти, как Micron, Samsung и SK Hynix.