Рынок оперативной памяти продолжает развиваться и компания Samsung сделала очередной шаг вперёд, представив модули памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ одной планки. На приведённом изображении показана разница между 4-слойным чипом памяти DDR4 и 8-слойным чипом DDR5, оба из которых применяют Through Silicon.

Samsung смогла сделать кристаллы памяти на 40% тоньше (1 мм против 1,2 мм прежде) и уменьшить пространство между слоями. В результате чипы памяти становятся тоньше и плотнее.

Главное же, что Samsung обещает двукратный прирост скорости передачи данных по сравнению с DDR4, а именно 6400 Мбит/с. При этом расход энергии уменьшится на 30% при рабочем напряжении 1,1 В.

Компания сообщает, что будет поставлять память DDR5 центрам обработки данных, производителям смартфонов и ноутбуков. Сроки начала этих поставок названы не были.