Компании Ferroelectric Memory Co. (FMC) и Neumonda сотрудничают для возобновления производства сегнетоэлектрической памяти по новой технологии с применением оксида гафния (HfO2), память получила название DRAM+, сообщает Tom’s Hardware.
Источник изображения: Michael Dziedzic, Unsplash (отредактировано)
Сегнетоэлектрическая память сочетает высокую производительность динамической оперативной памяти (DRAM) с энергонезависимостью, которой обладают запоминающие устройства, такие как твердотельные накопители (SSD). Цель состоит в том, чтобы создать революционную энергонезависимую DRAM, идеально подходящую для применения в таких областях, как искусственный интеллект, автомобильная промышленность, потребительская электроника, промышленное оборудование и медицинские приборы.
Сегнетоэлектрическая память, использующая традиционную технологию FeRAM с применением титаната цирконата свинца (PZT), была ограничена низкой ёмкостью и сложностями с масштабированием производственных процессов. Однако оксида гафния позволяет преодолеть эти ограничения, он совместим со стандартными процессами производства полупроводников, хорошо масштабируется ниже 10 нм и позволяет достичь значительно более высокой плотности — потенциально в диапазоне от гигабит до гигабайт — при сохранении характеристик DRAM.
Технология HfO2 «превращает конденсатор DRAM в энергоэффективное энергонезависимое запоминающее устройство», — цитирует генерального директора FMC Томаса Рюккеса (Thomas Rueckes) ресурс Tom’s Hardware. Питер Пёхмюллер (Peter Poechmueller), генеральный директор Neumonda, заявил, что партнёрство «является большим шагом на пути к созданию нового немецкого производителя памяти».
