Производители памяти ускоряют вывод новых решений на рынок из-за растущих потребностей систем искусственного интеллекта. На этом фоне борьба за первые поставки памяти следующего поколения между крупнейшими разработчиками DRAM становится всё более заметной.
Изображение: WCCFTech
SK Hynix сообщила об отправке крупным клиентам образцов памяти HBM4E. Компания начала тестирование новых модулей спустя несколько недель после выставки Computex 2026, где впервые показала эту разработку.
В образцах используется 12-слойная память HBM4E с максимальной емкостью 48 ГБ и скоростью до 16 Гбит/с на контакт. По данным SK Hynix, новинка обеспечивает более чем на 20% лучшую энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением.
HBM4E рассчитана на использование в будущих высокопроизводительных ИИ-платформах, включая NVIDIA Rubin Ultra и AMD Instinct MI500. Именно такие системы должны стать основой для следующего поколения центров обработки данных.
Для производства памяти компания использует технологию MR-MUF. Она позволяет сохранить конструктивную устойчивость 12-слойного стека и одновременно увеличить объем памяти до 48 ГБ. Кроме того, SK Hynix сообщает о повышении термостойкости на 17% по сравнению с HBM4.
Компания планирует тесно работать с партнерами во время испытаний и подготовить продукт к серийному выпуску. Параллельно Samsung также развивает собственные решения HBM4E и HBM5, однако SK Hynix первой начала поставки образцов клиентам.
