На недавнем SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор SK Hynix Го Лучжэн анонсировал первую в мире память HBM3E с 16 разрядами. Этот прорыв в области высокоскоростной памяти обещает значительно улучшить производительность в различных приложениях, включая искусственный интеллект.

Память HBM3E с 16 слоями открывает новые возможности для вычислительных систем. Каждый стек способен вместить до 48 ГБ, что делает эту технологию особенно привлекательной для центров обработки данных и мощных вычислительных систем. Ожидается, что образцы появятся на рынке в начале следующего года, что позволит разработчикам протестировать новинку в реальных условиях.

Интересно, что многие эксперты считали, что 16-слойная многослойная память появится только с выходом следующего поколения HBM4. Однако, ссылаясь на исследования Rambus, SK Hynix продемонстрировала, что HBM3E также может адаптироваться под новые требования. Пропускная способность нового продукта достигает 1280 ГБ/с, что обеспечивает значительное преимущество в производительности по сравнению с предыдущими моделями.

Дополнительно, компания заявила, что производительность обучения искусственного интеллекта с использованием HBM3E улучшилась на 18%, а производительность вывода — на 32%. Эти показатели подтверждают, что новинка отвечает современным требованиям высоких технологий.

Помимо HBM3E, SK Hynix работает над другими решениями, такими как LPCAMM2 и новыми твердотельными накопителями PCIe 6.0. Эти разработки нацелены на удовлетворение потребностей как в сегменте ПК, так и в центрах обработки данных.