Samsung вкладывает значительные средства, чтобы к 2030 году обогнать TSMC и стать крупнейшим литейным заводом в мире. Важная часть этого плана уже приведена в действие, поскольку южнокорейскому гиганту удалось запустить производство своих 3-нм узлов намного раньше, чем узлы TSMC N3, однако ситуация для Samsung далека от идеальной. В недавнем отчете, опубликованном Naver, говорится, что 3-нм узлы Samsung в настоящее время имеют очень низкий выход, не превышающий 20%, что побудило технологического гиганта изучить решения для повышения производительности с помощью американской компании Silicon Frontline Technology. Эти проблемы, однако, не помешали Samsung подписать контракты на производство 3-нм пластин с такими крупными компаниями, как Nvidia, Qualcomm и IBM.

Эскалация геополитической напряженности на Тайване вынуждает крупнейших клиентов TSMC искать другие места производства чипов, чтобы обеспечить необходимые поставки для будущих продуктов. Samsung кажется здесь очевидной альтернативой, поскольку в настоящее время это единственный литейный завод, предлагающий полупроводники gate-all-around (GAA). Проблема, однако в том, что эта технология GAA кажется довольно дефектной, поскольку доходность едва достигает 20%. Согласно Naver, Samsung заключила партнерское соглашение с Silicon Frontline Technology, чтобы решить эти проблемы с помощью методов предотвращения электростатического разряда и передовых способов подачи сверхчистой воды для очистки пластин. Инсайдеры отрасли ссылаются на положительные результаты после этих шагов по улучшению производства, но точный процентный выход пока не упоминается.

Похоже, что производственная линия по 3-нм техпроцессу подлежит обновлению, поскольку источники, близкие к Korea Economic Daily, сообщают, что Samsung уже работает над 3-нм техпроцессом второго поколения. Вместо того, чтобы использовать узлы первого поколения с низкой производительностью, Samsung, скорее всего, предложит улучшенную технологию для производства будущих графических процессоров Nvidia, а также передовых процессоров IBM, чипов для смартфонов Qualcomm и ускорителей искусственного интеллекта Baidu для облачных центров обработки данных. Тем не менее, этот 3-нм узел второго поколения от Samsung может появиться не раньше, чем переработанный узел N3E от TSMC. Зная, что TSMC обычно обеспечивает более высокую производительность, Samsung, возможно, не сможет воспользоваться всеми новыми контрактами на 3-нм чипы.