Новости 11 мая 2014 года

В Сети с завидной регулярностью появляются сведения о новом смартфоне iPhone 6, который придёт на смену нынешнему флагману iPhone 5s. Вот и вчера источники обнародовали новые чертежи новинки и снимки, указывающие на то, что она получит влагонепроницаемый корпус.

Наши коллеги из PhoneArena получили от китайских источников 3D-схемы корпуса iPhone 6. Он действительно отличается скруглёнными гранями, продолговатыми кнопками регулировки громкости и внешне похож на iPad mini и iPod touch пятого поколения. Ширина корпуса – 66.97 мм, а высота – 138.14 мм. Толщина устройства не уточняется, но, согласно появившимся ранее данным, она не превысит 6 мм. Для сравнения, представленный в прошлом году iPhone 5s облачён в корпус размерами 58.6 x 123.8 x 7.6 мм.

Кроме того, источники PhoneArena поделились снимком, на котором продемонстрирован iPhone 6, погружённый в воду. Это, якобы, означает, что новый смартфон Apple будет надёжно защищён от попадания влаги. Если это действительно так, то он присоединится к другим флагманам, которые не боятся воды. В их число входят Samsung Galaxy S5 и Sony Xperia Z2. Также водонепроницаемый корпус, по слухам, получит и новый флагман LG G3, презентация которого пройдёт в конце мая.

Кстати, на этой неделе тайваньское деловое издание Economic Daily News сообщило, что 4.7-дюймовый флагман iPhone 6 будет официально представлен в августе текущего года, а модель, укомплектованная 5.5- или 5.6-дюймовым экраном выйдет через месяц – в сентябре. Правда, пока эта информация носит неофициальный характер и представители Apple отказываются давать комментарии по этому поводу, что, впрочем, не удивительно.

Уже во вторник, 13 мая, компания Lenovo проведёт специальное мероприятие, посвящённое официальному анонсу нового бюджетного смартфона Moto E. Новинка станет первым смартфоном, который выйдет после того, как Google продала Motorola китайской компании Lenovo. И сегодня в преддверии официального анонса в Сеть просочились её технические характеристики.

Наши коллеги из Engadget обнародовали точные технические характеристики смартфона Motorola Moto E и опубликовали его первое пресс-фото. Он, как и ожидалось, является удешевлённой версией Moto G, который был представлен в ноябре прошлого года.

По сведениям издания, Moto E обзаведётся 4.3-дюймовым сенсорным экраном, 5-мегапиксельной основной камерой и аккумуляторной батареей ёмкостью 1980 мАч. Его "сердцем" станет двухъядерный процессор Qualcomm Snapdragon с тактовой частотой 1.2 ГГц, который работает в паре с 1 Гб оперативной памяти. А для хранения данных будет выделен встроенный накопитель на 4 Гб и слот для карт памяти формата microSD максимальным объёмом 32 Гб. Вдобавок ко всему, предусмотрена поддержка двух SIM-карт.

Информации о стоимости нового смартфона Motorola Moto E пока нет. Но, если учитывать тот факт, что Moto G можно приобрести за $179-199, то ценник, установленный на новый аппарат, не превысит отметку в $150.

Между тем, издание PhoneArena опубликовало шпионский снимок, на котором, как утверждается, запечатлён Moto E, а рядом с ним – Moto G. Как видим, новинка будет немного меньше, чем смартфон Moto G, в котором установлен 4.5-дюймовый экран.

Кстати, вчера мы рассказывали о том, что Motorola готовит ещё два новых смартфона на Android – флагманский Moto X+1 и бюджетный Moto G Cinema. Они будут официально представлены в ближайшее время.

Пока южнокорейская компания LG готовится к новой презентации, которая назначена на 27-28 мая, источники продолжают делиться снимками нового смартфона LG G3. Он придёт на смену прошлогоднему флагману LG G2.

Вслед за LG G3 в золотистом корпусе мы можем лицезреть на фото ещё две расцветки нового смартфона – чёрную и белую. Снимок был опубликован западным порталом PhoneArena, сотрудники которого, в свою очередь, получили его от собственного достоверного источника.

Как видим, на фото запечатлен LG G3 в пластиковом корпусе с чёрным и белым металлизированным покрытием, а рядом с ними – новый смартфон в золотистом корпусе. На фронтальной панели аппарата, как и предполагалось, помимо тыльной камеры и двойной вспышки располагаются кнопки регулировки громкости звука и клавиша Home.

Источник PhoneArena, который предоставил изданию фото, также сообщил, что задняя крышка LG G3 будет сменной, что позволит пользователю менять панели самостоятельно "под настроение". Пока не ясно, будет аккумулятор встроенным либо сменным. Известно лишь, что его ёмкость составит 3000 мА∙ч.

Напомним, официальная презентация LG G3 пройдёт с 27 по 28 мая в шести городах – Сеуле, Нью-Йорке, Лондоне, Сан-Франциско, Сингапуре и Стамбуле. Новинка, согласно последним данным, обзаведётся 5.5-дюймовым экраном с поддержкой разрешения 2560 на 1440 точек, процессором Qualcomm Snapdragon, 3 Гб RAM и двумя камерами – 16-мегапиксельной тыльной и 2.1-мегапиксельной фронтальной. В качестве программной платформы заявлена ОС Android 4.4.2.

Смартфон LG G3 получит экран с разрешением 2560 на 1440 точек (QHD), дисплей аналогичного разрешения будет использоваться и в более продвинутой версии Samsung Galaxy S5. Как пишет TechRadar, глава компании Huawei Ричард Ю (Richard Yu) назвал такое разрешение в мобильных устройствах "бессмыслицей" и "глупостью", поскольку человеческий глаз не способен почувствовать разницу между Full HD (1920 на 1080 точек) и QHD. Кроме того, экран более высокого разрешения расходует больше энергии.

В своих смартфонах Huawei стремится увеличить время автономной работы, но с опаской относится к технологиям быстрой подзарядки. Ю считает, что такие механизмы сокращают жизненный цикл аккумуляторов, поэтому использовать их в своих смартфонах компания пока не собирается.

Также Ю признался, что аксессуары для смартфонов очень важны и в планах Huawei значатся носимые устройства, но конкретной информации по этому поводу он всё же не озвучил. Надо полагать, Huawei последует примеру своих "коллег по цеху" и тоже выпустит умные часы или спортивный браслет.

На прошлой квартальной отчётной конференции компания Intel в очередной раз подтвердила намерения начать поставки процессоров Broadwell в следующем полугодии. Тем не менее, не следует думать, что к Новому году прилавки всех магазинов будут завалены настольными моделями Broadwell. Если ранее мы лишь предполагали, что штурмовать рынок Broadwell начнёт с мобильного сегмента, то теперь увиденные официальные документы Intel придают нам уверенности в этом.

Итак, как нам удалось выяснить, в мобильном сегменте первые процессоры Broadwell появятся ещё в четвёртом квартале этого года, однако их экспансия не будет равномерной: сперва они пропишутся в наиболее экономичных классах процессоров. В частности, семейства мобильных процессоров "U" (28/15 Вт) и "Y" (11.5 Вт) пополнятся моделями Broadwell уже в четвёртом квартале, а вот семейству "H" (37/47 Вт) придётся подождать до первого квартала 2015 года. Более того, семейство "M" (37/47/57 Вт) моделями Broadwell не будет разбавлено, как минимум, до второго квартала 2015 года.

Нам уже доводилось видеть, как Intel намекает на совместимость процессоров Broadwell с чипсетами не только "девятой", но и "восьмой" серии. Остаётся признать, что в мобильном сегменте такая совместимость действительно предусмотрена: чипсеты Intel QM87, HM87 и HM86 обеспечивают поддержку Broadwell, а чипсет HM97 вообще рассчитан на работу исключительно с ними.

Время неумолимо приближает нас к началу июня, когда Intel официально представит процессоры Devil's Canyon - по сути, это будут снабжаемые нормальным термоинтерфейсом представители семейства Haswell Refresh со свободным множителем. Базовое семейство Haswell Refresh формально дебютирует сегодня, но интригу сохранить не удалось: цены были обнародованы ещё в середине апреля, продажи материнских плат начались досрочно, да и о быстродействии новичков мы уже имеем представление.

Возвращаясь к процессорам Devil's Canyon, которые будут лучше предшественников приспособлены для разгона, хотелось бы обратить ваше внимание на публикацию форума Coolaler, где указаны все характеристики двух представителей этого семейства:

• Core i7-4790K -> частоты 4.0/4.4 ГГц, четыре ядра, Hyper-Threading, 8 Мб кэша, Intel Graphics 4600 (1250 МГц), поддержка двухканальной DDR3-1600, TDP = 88 Вт, свободный множитель;
• Core i5-4690K -> частоты 3.5/3.9 ГГц, четыре ядра, 6 Мб кэша, Intel Graphics 4600 (1200 МГц), поддержка двухканальной DDR3-1600, TDP = 88 Вт, свободный множитель.

Заметим, что старший представитель серии Devil's Canyon оказывается быстрее Core i7-4770K сразу на 500 МГц, хотя бесплатно для теплового бюджета это не проходит - значение TDP выросло на 4 Вт. "Юбилейная" версия Pentium со свободным множителем, по словам первоисточника, будет носить имя "Pentium G3258", других подробностей об этом процессоре нет.

Жизнь идёт своим чередом: порождённые квартальной конференцией NVIDIA информационные поводы истощились ещё вчера, но активность мастеров экстремального разгона не даёт нашим читателям возможности отказаться от идеи посещения сайта в воскресенье. Южноафриканский энтузиаст Vivi испытал на деле проверенную формулу: современная видеокарта в зрелом тестовом приложении. Фокус заключается в том, что в период популярности соответствующего тестового пакета столь производительных видеокарт не существовало, а потом публика переключилась на более современные тесты, поэтому хорошо разогнанная актуальная видеокарта имеет все шансы занять первые места в "старых добрых" бенчмарках.

Во-первых, разогнав GeForce GTX 780 Ti под жидким азотом до 1820/8100 МГц, южноафриканский оверклокер Vivi, занял первое место в 3DMark03 с результатом 246 358 баллов. Эксперименту сопутствовал разгон центрального процессора Core i7-4770K под жидким азотом до 6500 МГц.

В очередной раз собравшись в лаборатории Gigabyte, оверклокеры со всего мира принялись обновлять собственные достижения. Вторым рекордом в исполнении Vivi на этом мероприятии стали 189 310 баллов 3DMark2001 SE, полученные при частотах видеокарты 1650/8000 МГц и частоте процессора 6533 МГц. Надо полагать, что плодами этого съезда оверклокеров станут и другие достижения.

Всего за четыре года своего существования китайская компания Xiaomi стала пятым по величине производителем смартфонов у себя на родине, и седьмым по величине производителем в мире, догнав корпорацию Sony. Новые горизонты не менее амбициозны - ради масштабной экспансии на мировой рынок за круглую сумму приобретён домен MI.com, в планах по выпуску смартфонов на этот год числятся 40 млн. изделий.

Как сообщает издание Reuters со ссылкой на собственные источники, Xiaomi готовится выпустить свой первый планшет - предполагается, что размер диагонали дисплея составит 7.9", а поставлять панели для этой марки будет японская компания Sharp. На пятнадцатое мая намечено мероприятие в Пекине, на котором планшет и может быть представлен. Кстати, в марте Xiaomi уже предложила покупателям смартфон с диагональю дисплея 5.5", так что выпуск компактного планшета является логичным следующим шагом.

Как и многие другие лидеры рынка полупроводников, компания IBM изучает возможности такой энергонезависимой памяти, как память на основе эффекта обратимой смены состояния вещества — phase change memory (PCM). Под действием высокого тока вещество в ячейке меняет состояние на аморфное, что соответствует записи "0", а меньшие токи возвращают ячейку в кристаллическое состояние (токопроводимое), отвечая за запись "1". Совсем малые токи позволяют определить фазовое состояние материала и фактически считать записанные данные. Разработкой памяти PCM компания IBM занимается с начала 2000-х годов, кооперируясь в своё время, к примеру, с компаниями Infineon и Macronix.

Не так давно компания IBM показала прототип первого энергонезависимого накопителя с шиной PCI Express на основе памяти PCM. Демонстрация состоялась на мероприятии Non-Volatile Memory Workshop 2014. Плата с памятью выглядит не по-современному огромной. Следует, однако, понимать, что выпускаемые промышленно микросхемы памяти PCM всё ещё страдают такой детской болезнью, как малая ёмкость. Так что для создания прототипов с каким-то вменяемым объёмом требуется целая батарея микросхем.

Самое ценное в прототипе PCM-накопителя IBM — это полученные в ходе тестирования результаты сравнения производительности современных SSD на флэш-памяти NAND-типа и PCIe-накопителя на памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества. Научные партнёры компании IBM из греческого университета в городе Патры выяснили, что по скорости обращения к данным корпоративные SSD отстают от PCM-накопителей в 12 раз, а клиентские SSD оказываются медленнее в 275 раз. А ведь есть ещё беспрецедентная устойчивость к износу, которой не могут похвастаться накопители на основе NAND-флэш. Так, среднестатистическая ячейка PCM выдерживает до 10 млн. перезаписей. Если при этом использовать механизму коррекции ошибок, то устойчивость к износу можно довести до 10 трлн. операций стирания.

Из других практических результатов специалисты выяснили, что выпущенная в рамках 90-нм техпроцесса PCM-память IBM на частоте 66 МГц записывает "0" за 70 нс, а "1" — за 120 нс. По своим скоростным характеристикам память PCM приближается к возможностям обычной оперативной DRAM-памяти, но при этом она не теряет данные в момент отключения питания. Ввиду малой ёмкости современных микросхем PCM считается, что вначале они послужат основой для создания энергонезависимых кэш-буферов в составе SSD и только в последующем появятся коммерческие накопители, полностью основанные на PCM-микросхемах.

Накануне компания Samsung распространила пресс-релиз, в котором сообщила о вводе в строй самого передового в мире завода по выпуску флэш-памяти NAND-типа. Предприятие возведено в китайском городе Сиань (Xi'an), провинция Шэньси. Честь открыть завод был предоставлена вице-председателю компании Samsung Electronics и местным партийным боссам. Строительство и размещение оборудования было завершено в рекордные сроки — всего за 20 месяцев. Впрочем, до конца года ещё предстоит закончить ряд финальных работ.

Общая площадь производственных помещений составляет 230 тысяч квадратных метров. Вся территория завода — это 1,14 млн. квадратных метров земли. Всё это хозяйство внесёт заметную лепту в поток флэш-микросхем с лейблом "Made in China". Сборочные и тестовые линии на предприятии как раз будут завершены до конца текущего года. В настоящий момент, как считают аналитики, Китай выпускает примерно половину всей выпускаемой в мире флэш-продукции.

Что касается непосредственно продукции завода в Сиань, то это так называемая 3D V-NAND. Это память, с высокоплотной 3D-компоновкой слоёв и вертикальными TSVs-соединениями. Кроме компании Samsung подобные структуры никто в мире не выпускает в промышленных масштабах. Переход на вертикальную компоновку микросхем флэш-памяти обусловлен тем, что уменьшать масштаб производства флэш-памяти ниже барьера в 15 нм экономически невыгодно. Эффективнее оказалось использовать 40-30 нм техпроцесс и многослойную 3D-структуру.