В Китае Samsung ввела в строй передовой завод по выпуску флэш-памяти

Накануне компания Samsung распространила пресс-релиз, в котором сообщила о вводе в строй самого передового в мире завода по выпуску флэш-памяти NAND-типа. Предприятие возведено в китайском городе Сиань (Xi'an), провинция Шэньси. Честь открыть завод был предоставлена вице-председателю компании Samsung Electronics и местным партийным боссам. Строительство и размещение оборудования было завершено в рекордные сроки — всего за 20 месяцев. Впрочем, до конца года ещё предстоит закончить ряд финальных работ.



Общая площадь производственных помещений составляет 230 тысяч квадратных метров. Вся территория завода — это 1,14 млн. квадратных метров земли. Всё это хозяйство внесёт заметную лепту в поток флэш-микросхем с лейблом "Made in China". Сборочные и тестовые линии на предприятии как раз будут завершены до конца текущего года. В настоящий момент, как считают аналитики, Китай выпускает примерно половину всей выпускаемой в мире флэш-продукции.

Что касается непосредственно продукции завода в Сиань, то это так называемая 3D V-NAND. Это память, с высокоплотной 3D-компоновкой слоёв и вертикальными TSVs-соединениями. Кроме компании Samsung подобные структуры никто в мире не выпускает в промышленных масштабах. Переход на вертикальную компоновку микросхем флэш-памяти обусловлен тем, что уменьшать масштаб производства флэш-памяти ниже барьера в 15 нм экономически невыгодно. Эффективнее оказалось использовать 40-30 нм техпроцесс и многослойную 3D-структуру.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 23

Комментарии Правила

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают